张琦
- 作品数：43 被引量：66H指数：5
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省青年科技基金四川省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术交通运输工程更多>>
- 一种可调控水平方向磁场的磁环境摩擦学试验装置
- 一种可调控水平方向磁场的磁环境摩擦学试验装置，上加载机构为：垂向丝杆固联在垂向电机轴上，垂向滑块旋接在垂向丝杆上、并经左、右垂向导轨导向，水平丝杆固联在水平电机轴上，水平滑块旋接在水平丝杆上，水平滑块下方顺次固定二维应变...
- 莫继良徐敬业张琦王晓翠朱旻昊周仲荣
- 文献传递
- 一种粘滑运动试验装置
- 一种粘滑运动试验装置，属于摩擦学技术领域。本发明提供的装置通过控制系统控制二维移动平台2在水平方向和竖直方向上的移动，使应变式力传感器14压紧固定轴6进而压紧夹具9使得上摩擦件10和下摩擦件11接触后保持设定的法向载荷，...
- 莫继良王晓翠张琦唐斌朱旻昊周仲荣
- 文献传递
- 不同角度沟槽橡胶阻尼垫片对摩擦系统自激振动的影响研究
- 随着现代交通工具的快速发展,人类对于其各方面舒适性的标准和要求也在不断提高。车辆在制动过程中产生的摩擦振动甚至尖叫噪声会大大降低乘坐人员的舒适度,影响其身心健康,并可能降低制动系统的可靠性。因此关于如何抑制制动过程中产生...
- 张琦
- 关键词：盘式制动器
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- 微图形氧化钛薄膜表面内皮细胞生长行为研究被引量：1
- 2006年
- 采用非平衡磁控溅射沉积技术制备微图形化的Ti-O薄膜,通过在微图形化的薄膜表面培养内皮细胞的方法,研究了微图形及表面物理化学性能对细胞生长行为的影响。结果表明,微图形尺寸减小到某一尺度范围之内会对内皮细胞在材料表面的生长起到接触引导作用,促进细胞在其表面生长;同时,表面成分、结构和表面能参数γsp/γsd也在一定程度上影响内皮细胞的生长行为。采用溅射技术使材料表面具有一定特征的表面微观形貌,能够引导和促进细胞在材料表面的生长,溅射技术制备微图形化表面可能成为等离子体生物材料表面改性的一个新的技术手段。
- 刘艳文王露杨文茂张琦冷永祥黄楠
- 关键词：钛氧薄膜内皮细胞非平衡磁控溅射
- 新能源汽车空调系统的状态监控系统
- 本实用新型公开了一种新能源汽车空调系统的状态监控系统，包括设置于新能源汽车空调系统内的新能源汽车空调系统控制器、与新能源汽车空调系统控制器分别相连的无线数据传输模块、电源管理模块和数据存储模块，还包括与无线数据传输模块相...
- 周鹏凯张琦何彪龚海强李响代登志
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- 一种双目视觉行人距离检测方法
- 本发明公开了一种双目视觉行人距离检测方法，其包括步骤S1‑S10，本方案利用双目立体视觉并基于视差原理，利用成像设备从不同位置获取被测物体的两幅图像，通过计算图像对应点之间的位置偏差，得到物体的三维几何信息。利用双目立体...
- 胡广地张琦郭峰赵利民胡坚耀赛景辉
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- 汽车盘式制动器的集屑装置
- 本实用新型公开了一种汽车盘式制动器的集屑装置,其组成是：弧形的收集槽(3)环绕于汽车盘式制动器的制动盘(1)外缘，弧形的收集槽(3)的两端固定于汽车盘式制动器的制动卡钳(2)上，收集槽(3)的内腔环绕于汽车盘式制动器的制...
- 莫继良王东伟张琦盖小红陈光雄朱旻昊周仲荣
- 文献传递
- 一种粘滑运动试验装置
- 一种粘滑运动试验装置，属于摩擦学技术领域。本发明提供的装置通过控制系统控制二维移动平台2在水平方向和竖直方向上的移动，使应变式力传感器14压紧固定轴6进而压紧夹具9使得上摩擦件10和下摩擦件11接触后保持设定的法向载荷，...
- 莫继良王晓翠张琦唐斌朱旻昊周仲荣
- 脉冲真空弧源沉积类金刚石薄膜耐磨特性研究被引量：5
- 2004年
- 本文利用脉冲真空弧源沉积技术在Cr17Ni14Cu4不锈钢和Si(10 0 )基体上制备了类金刚石 (DLC)薄膜 ,研究在不同基体偏压下 ,DLC薄膜的结构与性能。采用拉曼光谱和X射线光电子能谱 (XPS)研究DLC薄膜的原子结合状态 ,利用CSEM销盘摩擦磨损试验机研究其耐磨性 ,利用HXD10 0 0B显微硬度仪测试其显微硬度 ,并采用压痕法评价其结合力。研究结果表明 :DLC薄膜与基体结合牢固。随着基体偏压的提高 ,DLC薄膜内sp3 键含量增大 ,薄膜硬度提高。Cr17Ni14Cu4不锈钢表面沉积DLC薄膜后 ,耐磨性大幅度提高 ,本文探讨了DLC薄膜的耐磨机理。
- 徐禄祥冷永祥孙永春龚发梅张琦杨萍黄楠
- 关键词：DLC薄膜类金刚石薄膜拉曼光谱耐磨机理
- 非平衡磁控溅射沉积Ta-N薄膜的结构与电学性能研究被引量：13
- 2006年
- 采用直流反应非平衡磁控溅射技术在单晶Si（100）和玻璃表面沉积氮化钽（Ta-N）薄膜。分别测试了薄膜的结构、成分、电阻率和吸收光谱，研究了氯氩流量比（N2：Ar）变化对Ta—N薄膜的结构和电学性能的影响。研究结果表明随N2：Ar增加，依次生成六方结构的γ-Ta2N、面心立方结构（fcc）的δ-TaNx体心四方结构（bct）的TaNx；N2：Ar在0．2～0．8的范围内，Ta—N薄膜中只存在着fcc δ-TaNx；当N2：Ar〉1之后，Ta—N薄膜中fCC δ-TaN，和bct TaNx共存。Ta—N薄膜电阻率随N2：Ar流量比增加持续增加，当N2：Ar为1．2时，薄膜变为绝缘体，光学禁带宽度为1．51eV。
- 杨文茂张琦陶涛冷永祥黄楠
- 关键词：非平衡磁控溅射反应溅射XRD
