张娟
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
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- 4H-SiC MESFET结构与直流特性研究被引量：1
- 2008年
- 运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。
- 徐俊平杨银堂贾护军张娟
- 关键词：埋栅
- SiC垂直功率MOSFET的设计与特性仿真
- SiC垂直功率MOSFET是电力电子器件领域的热门研究课题之一。本文在功率器件理论的基础上,设计了两种SiC垂直功率MOSFET,即SiC VDMOS结构和SiC UMOS结构,并采用ISE TCAD 7.0软件分别对它...
- 张娟
- 关键词：SICVDMOS
- 文献传递
- N-SiC欧姆接触的研究进展
- 本文在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题.此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金...
- 张娟柴常春杨银堂贾户军
- 关键词：欧姆接触表面处理
- 文献传递
- 6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析
- 2008年
- 采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性。结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右。对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件。此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大。
- 张娟柴常春杨银堂徐俊平
- 关键词：4H-碳化硅
- n-SiC欧姆接触的研究进展
- 在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结...
- 张娟柴常春杨银堂贾户军
- 关键词：金属结构掺杂
- 文献传递
- SiC VDMoS特性的影响因素分析被引量：1
- 2008年
- 研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds=0.1 V、Vgs=15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大,随沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小,随沟道长度的增加而减小。
- 张娟柴常春杨银堂徐俊平
- 关键词：SICVDMOS栅氧化层沟道长度
