张书敬
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- X波段PHEMT功率单片放大器被引量：6
- 2006年
- 报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.
- 张书敬杨瑞霞武继斌杨克武
- 关键词：PHEMTX波段MMIC功率放大器
- GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析被引量：2
- 2007年
- 在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAs HFET/PHEMT器件EE-HEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好.
- 张书敬杨瑞霞高学邦杨克武
- 关键词：砷化镓场效应晶体管微波集成电路
- 应用于C-X-Ku波段的宽带功率放大器(英文)
- 2007年
- 采用0.25μm AlGaAs／InGaAs／GaAs PHEMT工艺技术，研制出了6～18GHz三级MMIC全匹配宽带功率放大器单片，在6～18GHz的工作频率下，放大器的平均功率增益为19dB，输出功率大于33.3dBm，在10GH。处有最大输出功率34.7dBm，输入回波损耗S11低于-10dB，输出回波损耗S22低于-6dB。与报道的C-X-Ku频段宽带功率放大器相比，有较好的功率平坦度。
- 张书敬杨瑞霞张玉清高学邦杨克武
- 关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器
- GaAs MESFET/PHEMT大信号建模被引量：1
- 2007年
- 大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础,在分析传统建模方法的基础上,对传统的ColdFET测量技术和寄生元件参数提取提出了改进方法,大栅宽器件引入了脉冲I-V曲线的测试方法,改进了EEFET/EEHEMT模型的I-V模型和Q-V模型.利用在片测试技术与建模软件相结合,建立了新的二维电荷模型,给出了建模实例和验证结果.
- 张书敬杨瑞霞王生国杨克武
- 关键词：砷化镓场效应晶体管微波集成电路
- Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响
- 2007年
- 研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.
- 张书敬杨瑞霞崔玉兴杨克武
- 关键词：砷化镓欧姆接触
