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张丽: 作品数：72 被引量：64H指数：5; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学医药卫生更多>>

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等离子体平板显示器寻址驱动芯片制备方法: 本发明公开了一种等离子体平板显示器选址驱动芯片制备方法。主要解决现有PDP选址驱动芯片的高低压兼容问题和生产成本高的问题。采用在不同的外延块上实现高压VDMOS、LDMOS管，低压NPN、CMOS管的一体化集成，其主要过...; 庄奕琪李小明张丽邓永洪; 文献传递

用于动态比较器的失调电压校正电路: 本发明公开了一种用于动态比较器的失调电压校正电路，主要解决现有技术未能直接对比较器输入支路进行电流补偿的问题，其包括校正启动电路，相位探测器，计数器、多倍率开关电流源及比较器。比较器通过相位探测器与计数器连接，触发信号产...; 汤华莲尹文倩李聪张丽许蓓蕾; 文献传递

工艺偏差下PMOS器件的负偏置温度不稳定效应分布特性被引量：1: 2016年; 当器件特征尺寸进入纳米级，负偏置温度不稳定性（NBTI）效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体（PMOS）器件性能和可靠性的下降.基于反应-扩散（R-D）模型，本文分析了工艺偏差对NBTI效应的影响；在此基础上将氧化层厚度误差和初始阈值电压误差引入到R-D模型中，提出了在工艺偏差下PMOS器件的NBTI效应统计模型.基于65 nm工艺，首先蒙特卡罗仿真表明在工艺偏差和NBTI效应共同作用下， PMOS器件阈值电压虽然会随着应力时间增大而沿着负方向增加，但是阈值电压的匹配性却随着时间推移而变好；其次验证本文提出的统计模型准确性，以R-D模型为参考，在104 s应力时间内， PMOS器件阈值电压退化量平均值和均方差的最大相对误差分别为0.058%和0.91%；最后将此模型应用到电流舵型数模转换器中，仿真结果显示在工艺偏差和NBTI效应共同作用下，数模转换器的增益误差会随着应力时间的推移而增大，而线性误差会逐渐减小.; 汤华莲许蓓蕾庄奕琪张丽李聪; 关键词：阈值电压

半分布式无源可变衰减器: 本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器，包括0～7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块，采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构，以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关，由五...; 庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌; 文献传递

可集成的高压VDMOS晶体管结构: 本实用新型公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层4与衬底1的界面上设有N型埋层2，在N型外延层上设有P型体沟道区11和深N+扩散区5及P型阱6，该P型体沟道区的四周设有P型场限环7...; 庄奕琪李小明张丽邓永洪; 文献传递

基于蓝宝石表面缺损的图像去模糊算法研究: 近年来，蓝宝石因其在物理、化学、光学等各方面的优良特性，得到了在工业、制造业等多个领域的广泛应用。蓝宝石硬度高、熔沸点高、不溶于水、耐磨、耐酸碱腐蚀、透光性良好，可用于制作手机、电视等日用家电设备的屏幕，甚至将取代现如今...; 张丽; 关键词：蓝宝石离焦模糊图像去模糊; 文献传递

TENS对依赖于睡眠的记忆巩固的影响: 睡眠能够巩固记忆，睡眠中的纺锤波参与记忆的加工巩固，纺锤波与慢振荡和海马尖波相互协作，使得海马的短期记忆变为新皮层的长期记忆，研究表明，通过对睡眠施加不同的干预，可以改变睡眠结构和纺锤波的各种参数，从而间接影响睡眠时记忆...; 张丽; 关键词：经皮电刺激纺锤波匹配追踪算法脑电信号

基于深度学习的信道译码技术研究: 通信业务多样化和标准化工作的不断推进对信息传输的可靠性提出了更高的要求。信道编码是系统传输准确性的重要保障，其中低密度奇偶校验(LowDensityParityCheck,LDPC)码和Turbo码是通信领域两种关键的信...; 张丽; 关键词：LDPC码 TURBO码神经网络误码率信道噪声; 文献传递

硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器: 本发明公开了一种硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器，包括1dB、2dB、4dB、8dB、16dB五个衰减模块，采用带有沟道并联电阻结构和体悬浮结构的两种锗硅BiCMOS工艺的NMOS场效应晶体管作为控制开关，由五组互补数...; 庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌; 文献传递

关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究被引量：7: 2005年; 在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果。; 张丽庄奕琪李小明姜法明; 关键词：二次击穿双极晶体管寄生晶体管 MEDICI