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平云霞

作品数:14 被引量:4H指数:1
供职机构:上海工程技术大学更多>>
发文基金:上海市自然科学基金国家自然科学基金中科院创新基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇晶体
  • 6篇晶体管
  • 6篇晶体管器件
  • 5篇退火
  • 5篇合金
  • 4篇合金层
  • 4篇NITI合金
  • 3篇电性能
  • 3篇升温速率
  • 3篇金属
  • 3篇快速退火
  • 3篇衬底
  • 2篇导电墨水
  • 2篇电极
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇喷墨
  • 2篇喷墨打印
  • 2篇平整
  • 2篇线电极

机构

  • 12篇上海工程技术...
  • 2篇华中科技大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 14篇平云霞
  • 5篇侯春雷
  • 3篇张修丽
  • 2篇张波
  • 2篇薛忠营
  • 2篇俞文杰
  • 2篇狄增峰
  • 2篇魏星
  • 2篇孙晓慧
  • 2篇张苗
  • 1篇陈光龙
  • 1篇任莉
  • 1篇徐红霞
  • 1篇曹云玖
  • 1篇汪丽莉

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2006
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
银掺杂氧化钽涂层的抗菌性能被引量:1
2015年
氧化钽因其较好的化学稳定和耐腐蚀性能而被生物医用材料领域广泛关注,但其在无光激活的情况下抗菌性能不佳,一定程度阻碍了这种材料的广泛应用。鉴于此,本文研究采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)技术对氧化钽涂层进行银掺杂处理,研究发现PⅢ银掺杂可显著改善氧化钽涂层的抗菌性能,且抗菌性能随PⅢ处理时间延长而增强。本研究可为抗菌型氧化钽涂层制备提供参考。
王曼乐平云霞
关键词:氧化钽抗菌离子注入
一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法
本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法,所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni<Sub>1‑x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>合金层,其中的0.1≤x≤0.6;然后进行快速退火处理:以30~50℃...
平云霞侯春雷
文献传递
一种制作NiGeSn材料的方法
本发明公开了一种制作NiGeSn材料的方法,所述方法是首先提供Ge<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>层材料做为初始衬底,再在Ge<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>层表面生长金属...
平云霞孟骁然
文献传递
Hagena团簇尺度定律中锥形喷嘴的等效孔径
2013年
本文首先详细重演了锥形喷嘴的等效孔径deq,并根据deq的定义给出了它与气体团簇喷流的径向宽度之间的依赖关系.然后以高背压氩气团簇喷流为例,通过成像喷流的Rayleigh散射光的空间分布研究了不同背压下喷流的径向宽度,并与Hagena团簇尺度定律中直线流模型假设的喷流径向宽度进行了比较.结果表明,Hagena直线流模型假设的喷流径向宽度小于实际的径向宽度,且实际宽度与气体背压有关.进一步的研究表明,直线流模型对喷流宽度的估计偏差导致对锥形喷嘴等效孔径的估计偏差,这为Hagena尺度定律估计团簇平均尺寸的偏差给出了一种可能的解释.
陈光龙徐红霞任莉汪丽莉曹云玖张修丽平云霞Dong Eon Kim
一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法
本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法,所述方法是首先在硅衬底上生长Si<Sub>1-y</Sub>Ge<Sub>y</Sub>层,其中:0.05≤y≤0.9;再在Si<Sub>1-y</Sub>...
平云霞侯春雷
反平行磁电垒结构中二维电子气体输运性质
二十世纪九十年代初,由于电子束微刻等技术的发展和成熟,人们在实验室中成功的实现了对二维电子气体的纳米尺度的磁调制。由于这种结构具有奇异的电子输运特性,吸引了众多物理学家的兴趣。本文中,我们发展了转移矩阵方法研究反平行磁电...
平云霞
关键词:二维电子气共振隧穿输运性质
文献传递
一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法
本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法,所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni<Sub>1-x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>合金层,其中的0.1≤x≤0.6;然后进行快速退火处理:以30~50℃...
平云霞侯春雷
一种制作NiGeSn材料的方法
本发明公开了一种制作NiGeSn材料的方法,所述方法是首先提供Ge<Sub>1‑x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>层材料做为初始衬底,再在Ge<Sub>1‑x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>层表面生长金属...
平云霞孟骁然
文献传递
一种线电极结构的有机铁电薄膜电容器及其制备方法
本发明涉及一种线电极结构的有机铁电薄膜电容器及其制备方法,制备方法为:分别将有机铁电薄膜的上下表面与上电极和下平板金属电极复合,有机铁电薄膜与上电极复合是通过设计上电极图案后,采用金属导电墨水在有机铁电薄膜表面同时喷墨打...
张修丽黄志强孙晓慧平云霞李龙
文献传递
一种线电极结构的有机铁电薄膜电容器及其制备方法
本发明涉及一种线电极结构的有机铁电薄膜电容器及其制备方法,制备方法为:分别将有机铁电薄膜的上下表面与上电极和下平板金属电极复合,有机铁电薄膜与上电极复合是通过设计上电极图案后,采用金属导电墨水在有机铁电薄膜表面同时喷墨打...
张修丽黄志强孙晓慧平云霞李龙
文献传递
共2页<12>
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