尹君
- 作品数：7 被引量：9H指数：3
- 供职机构：贵州大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 硅量子面表面键合的实验与计算研究
- 硅是微电子器件的主要材料，但由于硅的间接带隙的性质，其发光效率和强度都不高，使实现硅基光电子集成受到限制。但自从 Canham在1990年研究发现多孔硅在室温下的PL强发光以来，硅基发光材料引起了人们的广泛兴趣和深入研究...
- 尹君
- 关键词：脉冲激光沉积量子限制效应第一性原理
- 不同对称性条件下光子晶体局域态的演化
- 2014年
- 光子晶体不仅可以用来调控自发辐射,还可以用来控制光的传输和局域。研究采用平面波展开法进行模拟计算。首先改变光子晶体H1缺陷及其附近介质柱的半径,使得光子晶格缺陷处超晶胞的旋转对称性具有C6v,C3v或C2v等点群的性质;然后分析二维圆形介质柱三角光子晶体的局域态在光子禁带中演化。计算结果表明:随着介质柱的半径的变化,光子晶体局域态会发生变化,其演化表现出阶段性;同时随着对称性破缺程度的加深,会有更多缺陷态进入光子禁带。计算选择硅(Si)作为介质柱材料,主要为硅基光子晶体激光器的选模提供理论参考。
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- 关键词：光子晶体对称性局域态激光器
- 硅量子点表面掺氮的电子结构计算
- 2014年
- 本文在量子点表面掺入氮原子,用第一性原理方法模拟计算硅量子点(111)面上的电子结构。本文主要解决两个问题:(1)比较研究六种不同大小的量子点结构掺杂和未掺杂氮原子情况下的带隙宽度和电子态密度变化;(2)分别用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)两种不同的算法计算六种量子点结构的带隙宽度和态密度,并比较GGA和LDA算法的特点。计算结果发现:带隙随着量子点的尺度变小而展宽,这符合量子受限规律;在量子点表面掺杂氮原子会减小带隙宽度;重要的是发现LDA算法对局域态更加敏感。
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- 关键词：电子态密度局域密度近似广义梯度近似
- 通信波段硅基气孔光子晶体的带隙特性及其物理模型研究被引量：3
- 2014年
- 用平面波展开法对硅背景下的通信波段不同晶格类型和气孔形状光子晶体的能带结构进行数值计算与分析,提出了相应的物理模型.结果表明:利用光子受限效应和晶格对称性效应可以有效地调控光子带隙.随光子晶体填充率的增加,其约束光子的能力增强,光子带隙在一定范围内展宽且其中心频率蓝移;带隙随晶格对称性增加而变宽.对基元形状和旋转角度的研究发现,光子带隙随基元旋转角度变化具有周期性和对称性,表现出各向异性,由此优化出对应的不同晶格的最佳谐振腔型结构.
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- 硅量子点的形状及其弯曲表面效应被引量：3
- 2013年
- 硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如,Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局域能级,而在硅量子点曲率较小的近平台表面上键合不会形成任何局域态,但此时的键合结合能较低.用弯曲表面效应(CS)可以解释较小硅量子点的光致荧光光谱的红移现象.CS效应揭示了纳米物理中又一奇妙的特性.实验证实,CS效应在带隙中形成的局域能级可以激活硅量子点发光.
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- 关键词：硅量子点局域能级
- 表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响
- 2014年
- 将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含Si—N键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含Si—Yb键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。
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- 关键词：量子限制效应
- 纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光被引量：3
- 2014年
- 纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明:纳米硅弯曲表面上的Si-N,Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN线、693 nm处的LO1线和604 nm处的LO2线特征发光.特别是,Si-Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口,在1310 nm到1600 nm范围形成LYb线特征发光.
- 黄伟其黄忠梅苗信建尹君周年杰刘世荣秦朝建
- 关键词：局域态特征线
