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一种全N型TFT ESD瞬态检测电路的设计: 为适应有源发光二极管显示(AMOLED)以及有源液晶显示(AMLCD)的技术发展，设计了一种全N型的TFT静电放电(ESD)瞬态检测电路，该电路使用三级反向器反馈结构。采用对比仿真研究的方式分析该电路的性能优劣，结果显示...; 颜骏夏兴衡吴为敬; 关键词：静电放电

基于金属氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路被引量：5: 2016年; 本文提出了一种基于非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路,该电路采用输入级复用的驱动结构,一级输入级驱动三级输出级,不仅减少电路输入级2/3晶体管的数量,实现AMOLED或AMLCD显示屏的窄边框显示,而且输入级的工作频率是输出级的1/3,该结构适用于高速驱动电路.电路内部产生了三次电容耦合效应,每一次电容耦合效应都可以提高相应节点的电压,保证了信号完整传输.输出级采用了一个二极管接法的薄膜晶体管,该薄膜晶体管连接了输出级的控制信号和上拉薄膜晶体管的栅极,利用的每一级输出级输出时所产生的电容耦合效应,增加上拉薄膜晶体管的栅极电压,有效地提高电路输出能力和工作速度.仿真表明电路能够输出脉宽达到4μs速度.最后成功地制作了10级行集成驱动电路,包括10级输入级电路和30级输出级电路,负载为R=10k?和C=100pF,实验结果验证,该电路满足4k×8k显示屏在120 Hz刷新频率下的驱动需求.; 张立荣马雪雪王春阜李冠明夏兴衡罗东向吴为敬徐苗王磊彭俊彪

一种反射型釉面砖: 本实用新型公开了一种反射型釉面砖，包括釉料层和坯料层，所述釉料层与坯料层之间为锯齿形结构，所述坯料层的底面即与外墙接触面为条纹结构。所述釉料层材料的折射率为1.7—2.1，坯料层材料的折射率为1.3—1.5。本实用新型能...; 夏兴衡范少华吕明农玉伯谷峰; 文献传递

全N型TFT ESD瞬态检测电路的设计被引量：2: 2012年; 为适应有源发光二极管显示(AMOLED)以及有源液晶显示(AMLCD)技术的发展,使用三级反向器反馈结构设计了一种全N型的TFT静电放电(ESD)瞬态检测电路,并采用对比仿真研究的方式分析该电路的性能优劣.结果显示:反馈器件一方面可以提高各功能器件的转换速度,以保证箝位器件能够及时打开与关闭,避免因长时间流过大电流而引起箝位器件失效;另一方面可以控制箝位器件栅极电压的保持时间,从而满足不同电路的需求;三级反向器可以稳定箝位器件的栅极电压波形,有利于电路功能的更好实现.该设计满足基本ESD检测电路的相关参数要求,并且提高了电路的总体性能.; 颜骏吴为敬夏兴衡

一种基于薄膜工艺的射频识别标签制备方法: 本发明公开了一种基于薄膜工艺的射频识别标签制备方法，该射频识别标签主要由天线、模拟前端、时钟及数字逻辑电路和EEPROM存储电路构成，EEPROM存储电路包括存储器件及外围读写电路构成，天线主要由金属线圈所组成，模拟前端...; 吴为敬夏兴衡李冠明张立荣周雷徐苗王磊彭俊彪; 文献传递

基于金属氧化物TFT的AMOLED像素电路研究: 有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示凭借其高亮度、高对比度、宽视角、重量轻、制造工艺简单、响应速度快、低功耗、可制作大尺寸可挠性面板等诸多优点,在平板显示领域受到科学家和产业界的广泛重视,成为了新一代平板显示的研究...; 夏兴衡; 文献传递

一种基于薄膜工艺的射频识别标签制备方法: 本发明公开了一种基于薄膜工艺的射频识别标签制备方法，该射频识别标签主要由天线、模拟前端、时钟及数字逻辑电路和EEPROM存储电路构成，EEPROM存储电路包括存储器件及外围读写电路构成，天线主要由金属线圈所组成，模拟前端...; 吴为敬夏兴衡李冠明张立荣周雷徐苗王磊彭俊彪; 文献传递

一种反相器电路及其驱动方法: 本发明公开了一种反相器电路及其驱动方法，由第一、第二、第三、第四晶体管及电容构成；第一晶体管的栅极及漏极与高电压相连，第一晶体管的源级与第二晶体管的源极、第三晶体管的栅极、电容的一端连接；第二晶体管的栅极、第四晶体管的栅...; 吴为敬李冠明夏兴衡张立荣周雷徐苗王磊彭俊彪; 文献传递

大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析被引量：2: 2015年; 根据最基本的2T1C像素电路,建立了TFT各参数与AMOLED面板限制因素的计算模型。详细分析了AMOLED显示尺寸与TFT迁移率、金属方块电阻、刷新频率以及器件结构的关系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板设计中,信号线RC延迟是主要限制因素。TFT迁移率的提高在一定范围内对大尺寸显示面板设计有利,降低RC延迟是实现大尺寸、高分辨率、高刷新频率显示的关键技术。开发铜布线技术和低寄生电容TFT器件结构是未来大尺寸AMOLED显示的关键技术。; 周雷徐苗吴为敬夏兴衡王磊彭俊彪; 关键词：AMOLED 大尺寸高分辨率

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夏兴衡