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近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究: 2014年; 采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀;红外透过成像分析的结果表明,CdZnTe厚膜中无明显的Te夹杂相;X射线摇摆曲线、PL谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的CdZnTe外延膜;电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。; 蔺云介万奇查钢强张昊周岩汤三奇李嘉伟; 关键词：PL谱应变弛豫

Ar和H_2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究被引量：1: 2014年; 对CZT晶体进行了相同温度条件下Ar和H2气氛退火实验研究。利用XPS的离子溅射深度剖析对比分析了退火前和不同气氛退火后CZT晶体表面成分和价态的变化,并以上述变化为依据,推测了退火前CZT晶体的表面结构和成分以及退火过程中气体与CZT晶体表面发生的化学反应。结果表明,相比Ar气氛退火,H2气氛退火后因为TeO2和富Te层会先后和H2发生化学反应而大量减少,可以有效地去除TeO2和富Te层,增大H与CZT的接触面积,促进H与CZT的进一步反应。; 郭欣介万奇何亦辉周岩王涛; 关键词：CDZNTE XPS 退火

退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响被引量：4: 2014年; 研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd／Zn和Te气氛退火后，其光电性能的变化规律。研究表明，在Cd／Zn气氛下退火180h后，CdznTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级，晶体的体电阻率由10^10Ω·cm减小至～10^7Ω·cm。同时发现，Cd／Zn源区的温度决定了退火后晶体在500～4000cm^-1范围内红外透过率曲线的平直状态，这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关，而与晶体中的载流子浓度和夹杂／沉淀相状态无关。在Te气氛下退火时，发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg（p）呈近似线性关系，同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化。; 何亦辉介万奇周岩刘惠敏徐亚东王涛查钢强; 关键词：CDZNTE晶体红外透过率退火

Cd/Zn气氛退火过程中CdZnTe晶体内Te夹杂的迁移研究被引量：2: 2014年; 通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm；退火后,在晶体表面,直径＜45μm 的 Te 夹杂密度显著增大；而在晶体内部,直径＜5μm 和＞25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸＜5μm 的 Te 夹杂颗粒.; 周岩介万奇何亦辉蔺云郭欣刘惠敏王涛徐亚东查钢强; 关键词：CDZNTE CD ZN合金退火

富Te条件下CdTe晶体中的点缺陷研究: 2014年; 基于缺陷化学理论,考虑到富Te的CdTe晶体中可能存在的点缺陷,建立了在Te气氛下退火时,热力学平衡态晶体中的点缺陷模型,其中包括Cd间隙(Cdi)、Cd空位(VCd)、Te间隙(Tei)和Te反位(TeCd)。利用质量作用定律和伪化学平衡方程计算了富Te情况下本征CdTe晶体中的点缺陷浓度和费米能级。计算结果系统的揭示了点缺陷浓度、费米能级、Te压以及退火温度之间的关系,发现只有TeCd浓度足够大时才能对费米能级产生钉扎作用。; 刘惠敏王涛何亦辉周岩张昊徐亚东查钢强介万奇; 关键词：CDTE 点缺陷费米能级

Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究（英文）: 2015年; 采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光(PL)谱作为一种无损检测方法,可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富Te条件下生长的未掺杂ZnTe和CdTe晶体在8.6 K下的PL谱可以发现,电阻率较低的p型ZnTe晶体,其PL谱中,电子到中性受主复合发光峰(e,A^0)强度高于施主-受主对复合发光峰(DAP),而高电阻率阻n型CdTe晶体则刚好相反,这可能是由于生长速率及降温过程的热经历不同导致占主导的本征点缺陷类型不同造成的。按化学计量比生长的未掺杂CdZnTe晶体,其PL谱中自由激子发光峰(D^0,X)占主导,而(e,A^0)峰强度高于DAP峰,变温PL谱测试表明当温度高于15 K时,(e,A^0)峰与DAP峰逐渐叠加在一起。In掺杂导致在富Te条件下生长的CdZnTe晶体的PL谱中产生明显的A中心复合发光峰,与导带的能量差约为0.15 eV,主要与In补偿Cd空位形成的复合体[In_(Cd)^+V_(Cd)^(2-)]^-有关,且其强度与In掺杂元素的含量成正比。; 徐亚东刘航何亦辉周岩介万奇; 关键词：光致发光谱点缺陷掺杂

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周岩