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刘立

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇气相沉积
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 2篇膜层
  • 2篇CVD
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化合物
  • 1篇陶瓷膜
  • 1篇陶瓷膜层
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇铝基
  • 1篇膜结构
  • 1篇摩擦磨损性能
  • 1篇结构性能
  • 1篇化合物
  • 1篇化学气相沉积...
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基底
  • 1篇铝

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇刘立
  • 3篇郦剑
  • 2篇沈复初
  • 2篇叶必光
  • 1篇沃银花
  • 1篇田丽
  • 1篇张际亮
  • 1篇袁骏

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇2006年中...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2003
  • 1篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
铝基底上SiO_x陶瓷膜层的CVD制备及结构性能被引量：2
2003年
本研究采用常压化学气相沉积(CVD)的方法在金属铝基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.介绍了陶瓷膜层的制备工艺及设备.通过SEM、TEM观察了该膜层的形貌,并用XPS测定了膜层的成分,用TEM分析了陶瓷膜层的结构特征.通过拉伸实验、划痕实验及弯曲实验考察了陶瓷膜层与铝基底的结合性能,结果表明,膜层与基底的结合非常好.
刘立郦剑叶必光沈复初
关键词：化学气相沉积法CVD膜结构
铝基硅氧化物陶瓷薄膜摩擦磨损性能研究
在纯铝基底上通过低温常压化学气相沉积(APCVD)方法制备了硅氧化物SiOx陶瓷膜层,实现了铝表面改性。利用扫描电子显微镜(SEM)观察膜层表面、截面以及90°折弯试样的截面形貌,结果表明膜层表面为球状或等轴状陶瓷颗粒,...
张际亮郦剑沃银花刘立
关键词：铝摩擦磨损性能
文献传递
CVD技术在制备含硅化合物膜层中的应用被引量：3
2001年
本文综述了近十几年来CVD技术在不同基底材料上制取含硅化合物膜层的研究应用 。
刘立沈复初袁骏叶必光田丽郦剑
关键词：硅基底CVD化学气相沉积
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