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冯春阳

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：杭州电子工业学院更多>>
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合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇大信号
  • 1篇砷化镓
  • 1篇瞬态模拟
  • 1篇MESFET
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇杭州电子工业...

作者

  • 1篇冯春阳
  • 1篇骆建军
  • 1篇邓先灿
  • 1篇孙国恩

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1994
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GaAs　MESFET大信号瞬态模拟被引量：2
1994年
本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．
邓先灿冯春阳孙国恩骆建军
关键词：砷化镓MESFET大信号瞬态模拟
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