您的位置： 专家智库 > >

冯春阳

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇抛光
  • 7篇抛光工艺
  • 7篇化学机械抛光
  • 7篇机械抛光
  • 6篇线性规划
  • 4篇多项式
  • 4篇多项式时间
  • 4篇线性规划问题
  • 4篇金属
  • 4篇规划问题
  • 2篇代价函数
  • 2篇地表
  • 2篇铜互连
  • 2篇最小化
  • 2篇耦合电容
  • 2篇网格
  • 2篇相关函数
  • 2篇密度函数
  • 2篇近似法
  • 2篇互连

机构

  • 9篇复旦大学

作者

  • 9篇冯春阳
  • 8篇严昌浩
  • 8篇陶俊
  • 8篇曾璇
  • 6篇周海

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法
本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题，然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明...
曾璇周海严昌浩陶俊冯春阳
一种化学机械抛光工艺哑元填充的启发式方法
本发明属集成电路半导体制造技术领域，提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法，将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题，然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方...
周海曾璇严昌浩陶俊冯春阳
一种建立铜互连化学机械抛光工艺模型的方法
本发明属半导体铜互连化学机械抛光工艺领域，具体涉及一种粗糙打磨垫化学机械抛光工艺模型的建立方法。该方法采用概率密度函数来表征打磨垫表面的高度特性，用自相关函数来表征打磨垫表面的横向特性，并采用谱展开方法和非线性变换方法生...
曾璇严昌浩陶俊冯春阳
文献传递
一种化学机械抛光工艺哑元填充方法
本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种化学机械抛光工艺的哑元填充方法。本发明将求解最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一类特殊的覆盖线性规划CLP问题，然后根据CLP问题的特点，应用组合优化领域中一种完全多项式时...
曾璇周海严昌浩陶俊冯春阳
一种化学机械抛光工艺哑元填充的启发式方法
本发明属集成电路半导体制造技术领域，提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法，将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题，然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方...
周海曾璇严昌浩陶俊冯春阳
文献传递
纳米集成电路化学机械抛光工艺建模与仿真及可制造性设计技术研究
集成电路产业无疑是有史以来发展速度最为迅猛的产业之一。随着特征尺寸的持续不断缩小,集成电路的性能和集成度均以几何速度飞速增长。但集成电路制造工艺进入纳米时代后,严重的工艺参数偏差导致集成电路性能及成品率的迅速恶化,可制造...
冯春阳
关键词：纳米集成电路化学机械抛光可制造性设计
一种建立铜互连化学机械抛光工艺模型的方法
本发明属半导体铜互连化学机械抛光工艺领域，具体涉及一种粗糙打磨垫化学机械抛光工艺模型的建立方法。该方法采用概率密度函数来表征打磨垫表面的高度特性，用自相关函数来表征打磨垫表面的横向特性，并采用谱展开方法和非线性变换方法生...
曾璇严昌浩陶俊冯春阳
一种化学机械抛光工艺哑元填充方法
本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种化学机械抛光工艺的哑元填充方法。本发明将求解最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一类特殊的覆盖线性规划CLP问题，然后根据CLP问题的特点，应用组合优化领域中一种完全多项式时...
曾璇周海严昌浩陶俊冯春阳
文献传递
一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法
本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题，然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明...
曾璇周海严昌浩陶俊冯春阳
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0