乔晓东
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 纳米金刚石薄膜的n型掺杂及薄膜低温合成的动力学研究
- 赵庆勋闫正王银顺刘保亭王永杰杨景发乔晓东葛大勇张庆荣
- 该研究采用辉光等离子体辅助EACVD技术，制备出了高品质的n型金刚石薄膜，通过对薄膜力学特性的研究，得到了制备较小残余内应力的掺硫n型金刚石薄膜的优化实验条件；系统研究了薄膜的电学性质与掺硫浓度的关系，在低温硅衬底上合成...
- 关键词：
- 关键词：金刚石薄膜
- 铜膜制备过程中辉光等离子体的双探针诊断被引量：1
- 2008年
- 采用Langmuir双探针技术对氩气环境下射频磁控溅射铜薄膜过程中产生的辉光等离子体进行了实时诊断.结果表明,在一定的射频功率下,电子温度随气压的增大呈指数衰减的趋势变化;在一定的反应气压下,电子温度和电子密度随射频功率的增大均呈线性增加的趋势.电子的运动速度数量级为106m/s,比离子的运动速度大3个数量级.
- 高艳芬郝忠秀温梦仙乔晓东刘保亭赵庆勋
- 关键词：电子温度电子密度
- 硅基外延La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O异质结的制备
- 2006年
- 在外延SrTiO3(STO)作为缓冲层的Si基片上,应用溶胶-凝胶法(sol-gel)和磁控溅射法,在550℃温度下制备了外延的La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PZT/LSCO)异质结。X射线衍射结果表明,LSCO/PZT/LSCO异质结是c向外延生长的。当外加电压为60 V时,LSCO/PZT/LSCO铁电电容器的剩余极化强度为50.3μC/cm2,当电压为30 V时,铁电电容器有效极化强度为80μC/cm2。其它电学性能表明,PZT铁电电容器具有较高的电阻率和脉冲宽度对极化强度的影响较弱。
- 刘保亭李锋闫正赵庆勋张未涛程春生乔晓东孙宏丽
- 关键词：溶胶-凝胶法异质结
- 沉积温度对LaNiO_3薄膜结构和性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用磁控溅射法在（001）SrTiO3基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜，应用X射线衍射（XRD）、反射式高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响。结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内（250-400℃）都能得到外延LaNiO3薄膜。输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下，250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率。
- 刘保亭武德起闫正乔晓东赵庆勋王英龙
- 关键词：LANIO3磁控溅射
- 用于薄膜外延生长的单晶基片RHEED研究被引量：1
- 2006年
- 利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对微电子技术常用的Si,SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析.研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的影响,发现衬底的处理工艺非常重要.借助于反射式高能电子的衍射图样和理论分析,计算出与理论值相近的SrTiO3基片晶格常数.结果表明,高能电子衍射仪可以被用于计算生长在基片上的外延薄膜面内晶格常数.
- 武德起乔晓东李锋闫正赵庆勋王英龙刘保亭
- 关键词：RHEED衍射图样
- H_2/CH_4/H_2S/Ar气氛合成n型金刚石薄膜过程中硫分布的数值模拟
- 2005年
- 本工作采用Monte Carlo方法,根据辉光放电理论,对以H2S为掺杂源气体采用EACVD技术合成n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程进行了模拟.得出不同气压、偏压情况下n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程中掺杂元素S和S+粒子数分布,计算结果对掺杂过程的研究具有参考价值.
- 南景宇赵庆勋乔晓东闫正刘保亭张靖
- 关键词：CARLO方法金刚石薄膜N型掺杂EACVD
- 硅基导电薄膜制备过程的光谱诊断
- 磁控溅射是一种被广泛用于各种薄膜制备的物理气相沉积技术，它主要涉及粒子的碰撞、分解、激发、电离及其在电磁场中非线性输运等复杂过程，以及输运到衬底的成膜粒子在衬底上的成核、扩散、生长等非平衡过程。 本实验采用朗谬尔双探针...
- 乔晓东
- 关键词：光谱诊断磁控溅射
