2024年8月29日
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龙飞
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1
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供职机构:
江西师范大学
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相关领域:
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合作作者
梅飞
江西师范大学物理系
刘申之
江西师范大学物理系
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龙飞
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江西师范大学...
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1996
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第二类InAs/GaSb(001)半导体超晶格能带边结构的赝势计算
1996年
采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs/GaSb超晶格能带边结构随着InAs和GaSb层厚变化的规律.计算结果显示,随着InAs和GaSb层厚的变化,超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程.同时。
刘申之
龙飞
梅飞
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超晶格
赝势
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