黄赐昌
- 作品数：9 被引量：27H指数：4
- 供职机构：福州大学电子科学与应用物理系更多>>
- 发文基金：福建省教育厅资助项目中国博士后科学基金福建省教育厅科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理一般工业技术电气工程更多>>
- 二硫化铁光电薄膜制备技术的研究进展被引量：1
- 2005年
- 黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95 eV)和较高光吸收系数(当λ≤700 nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性。因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注。本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,来分析二硫化铁薄膜的研究状况。
- 钟南保程树英郑明学黄赐昌
- 关键词：光电性能
- SnS薄膜的制备技术及其性能的研究进展被引量：3
- 2005年
- SnS是一种IV-VI族半导体材料,非常适合于作为太阳能电池的吸收层材料。目前已经研究开发了许多制备SnS薄膜的技术,并对其性能进行了研究,详细阐述了SnS薄膜的制备技术及其性能的研究进展。
- 黄赐昌程树英钟南保陈岩清
- 热蒸发法制备SnS薄膜及其表征被引量：10
- 2005年
- 用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104 cm-1.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2 Ω·cm.因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层.
- 程树英钟南保黄赐昌陈国南
- 关键词：光电性能热蒸发法
- 电子束蒸发太阳能电池窗口层ZnO薄膜被引量：1
- 2006年
- 用电子束蒸发法在玻璃基片上制备太阳能电池窗口层ZnO薄膜，并在氧气环境下对其在400～500℃的温度下退火1h．通过X射线衍射、电镜扫描、透过率光谱等手段测试和分析所制备的薄膜，结果表明：当薄膜未经过热处理时，薄膜中含有大量的单质锌；当薄膜经过400℃退火后，薄膜逐渐结晶，并且其物相成分基本是ZnO；当退火温度逐渐升高到500℃时，晶粒长大，晶化程度提高，对可见光和近红外光的透过率也增大，平均值可达90％，此时所制备出的ZnO薄膜适合于作为太阳能电池的窗口层。
- 阮文农黄碧华黄赐昌
- 关键词：ZNO薄膜电子束蒸发退火
- 两步法制备太阳能电池吸收层SnS薄膜及其性能的研究
- 硫化亚锡(SnS)的禁带宽度Eg≈1.3eV,接近太阳能电池的最佳禁带宽度1.5eV,在理论上其能量转换效率达到25%;其吸收系数α﹥104cm-1,用作太阳能电池耗材少;其组成元素S和Sn在地球上储量丰富、廉价、无毒,...
- 黄赐昌
- 关键词：太阳能电池两步法光电性能
- 文献传递
- 光电薄膜SnS的制备及其性能被引量：4
- 2005年
- 在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O2-3=1/5和电流密度J=3.0mA/cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,发现其颗粒较均匀,粒径大小在200～800nm之间.用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV.用四探针法测得其导电类型为p型,电阻率为7.5Ω·cm.
- 程树英黄赐昌陈岩清陈国南
- 关键词：电沉积光电性能
- 二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状
- 2005年
- 黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.
- 钟南保程树英郑明学黄赐昌
- 关键词：光电性能
- 阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究被引量：6
- 2006年
- 在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72^-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω.cm。
- 程树英陈岩清钟南保黄赐昌陈国南
- 关键词：光电性能
- 阴极恒电流法电沉积SnS薄膜被引量：8
- 2004年
- 用阴极恒电流沉积法制备SnS薄膜。研究了溶液的pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积参数对薄膜组分的影响,得出制备SnS薄膜的理想的工艺条件为:pH=2.7,Sn2+:S2O32-=1:5,J=3.0mA·cm-2,t=1.5h,并制备出了成分为Sn0.995S1.005的膜层。用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜,晶粒大小不一,在200-800nm之间。用分光光度计测量了该薄膜在400-3000nm波段的透射光谱和吸收光谱,发现其在400-900nm波段的透过率较低,在950-1000nm附近有明显的吸收边,在波长大于1000nm后其透过率较大。
- 程树英陈岩清钟南保黄赐昌陈国南
- 关键词：电沉积电流密度
