黄艳
- 作品数：23 被引量：20H指数：3
- 供职机构：陕西科技大学更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信理学更多>>
- 水热法制备Sm_2O_3微晶薄膜被引量：4
- 2007年
- 以氯化钐为起始原料,采用水热法在玻璃基板和Si(100)基板上制备了Sm2O3薄膜,研究了水热反应温度对薄膜晶相、显微结构和光学性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外-可见自记式分光光度计等对薄膜的相组成、显微结构和光学性能进行了表征。结果表明:Sm2O3薄膜在玻璃基板和Si(100)基板上均表现出一定的定向生长的特征;Sm2O3薄膜对紫外线有强烈的吸收作用;随着反应温度从170℃升高到185℃,薄膜的结晶性变好,对紫外和可见光的吸收性均增强;薄膜禁带宽度由2.88eV增加到2.95eV。
- 黄艳黄剑锋曹丽云陈东旭吴建鹏
- 关键词：SM2O3水热法光学性能
- 一种微波水热法制备SmS薄膜的方法
- 一种微波水热法制备SmS薄膜的方法，在去离子水中通入Ar气除去水中的O<Sub>2</Sub>；将分析纯的SmCl<Sub>3</Sub>·6H<Sub>2</Sub>O和分析纯的Na<Sub>2</Sub>S<Sub>...
- 殷立雄黄剑锋曹丽云马小波黄艳
- 文献传递
- 一种微波水热法制备Sm<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米粉体的方法
- 一种微波水热法制备Sm<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米粉体的方法，将分析纯SmCl<Sub>3</Sub>·6H<Sub>2</Sub>O加入去离子水中，在磁力搅拌器上搅拌制得透明溶液A；将透明溶液...
- 殷立雄黄剑锋曹丽云李娟莹黄艳马小波朱佳
- 文献传递
- Ga_2O_3氮化法合成GaN粉体的研究被引量：3
- 2006年
- 在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体。通过XRD和AFM对生成物进行了分析,并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响。结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃,NH3流量为26L/h时能够合成高纯度的六方GaN粉体。
- 殷立雄王芬杨茂举黄艳
- 关键词：GA2O3氨气管式炉
- 一种微波水热法制备Sm<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的方法
- 一种微波水热法制备Sm<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的方法，将分析纯的SmCl<Sub>3</Sub>·6H<Sub>2</Sub>O加入去离子水中，在磁力搅拌器上搅拌使其溶解得透明溶液A；将透明...
- 殷立雄黄剑锋曹丽云李娟莹黄艳马小波朱佳
- 文献传递
- 化学气相沉积GaN半导体薄膜的研究
- 以GaO和NH为源材料,采用化学气相沉积法在Si(111)基板表面制备了Ga N半导体薄膜。采用XRD和AFM等分析测试手段对薄膜的相组成和显微结构进行了表征。采用四探针法对薄膜的电导率进行了测量。
- 殷立雄黄剑锋王芬黄艳
- 文献传递
- 一种微波水热法制备SmS薄膜的方法
- 一种微波水热法制备SmS薄膜的方法，在去离子水中通入Ar气除去水中的O<Sub>2</Sub>；将分析纯的SmCl<Sub>3</Sub>·6H<Sub>2</Sub>O和分析纯的Na<Sub>2</Sub>S<Sub>...
- 殷立雄黄剑锋曹丽云马小波黄艳
- 文献传递
- Ga_2O_3氮化法合成GaN薄膜的研究
- 2006年
- 采用Ga2O3与NH3在管式电炉中于高温常压下进行反应,并在硅基片上沉积GaN薄膜,研究了各种工艺参数如反应温度、NH3的流量、硅基片反应前后处理等因素对沉积GaN薄膜的影响,并通过SEM和AFM对生成物进行了分析。实验结果表明,在1125℃,NH3流量为26～30L/h时可在Si基片<111>面上沉积生成GaN薄膜。
- 殷立雄王芬杨茂举黄艳
- 关键词：GAN薄膜GA2O3氨气管式炉
- 模板合成法制备纳米材料的研究进展被引量：6
- 2007年
- 介绍了近年来国内外利用氧化铝、二氧化硅、碳纳米管、表面活性剂、聚合物、生物分子等作模板制备多种物质的纳米结构材料的一些进展。
- 黄艳
- 关键词：模板法纳米材料
- 溶胶–凝胶法制备Sm_2O_3光学薄膜(英文)被引量：6
- 2006年
- 以氯化钐为起始原料,采用溶胶–凝胶法在玻璃和Si(100)基板上制备了Sm_2O_3光学薄膜,在300～800℃对薄膜进行1～3h热处理。采用X射线衍射、原子力显微镜和紫外–可见自记式分光光度计等对薄膜的结晶取向、显微结构和光学性能进行了表征。结果表明Sm_2O_3薄膜在玻璃基板和Si(100)基板上均表现出沿(311)晶面定向生长的特征;Si基板更有利于生长致密而且结晶良好的薄膜;所制备的薄膜对紫外线有强烈吸收作用,而对可见光有较好的透过作用,随着热处理温度的升高,薄膜结晶性变好,取向性增强,光吸收性能增强,薄膜的禁带宽度减小。
- 黄剑锋黄艳曹丽云贺导艳吴建鹏贺海燕
- 关键词：氧化钐光学薄膜显微结构
