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黄涛华

作品数:25 被引量:43H指数:3
供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇理学
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇介电
  • 7篇酸盐
  • 7篇铌酸
  • 7篇铌酸盐
  • 5篇提拉法
  • 5篇晶片
  • 5篇衬底
  • 4篇电容
  • 4篇电容器
  • 4篇元器件
  • 4篇陶瓷
  • 4篇陶瓷电容
  • 4篇陶瓷电容器
  • 4篇微波元器件
  • 4篇温度补偿
  • 4篇介电陶瓷
  • 4篇光谱
  • 4篇ZNO薄膜
  • 3篇钨青铜
  • 3篇钨青铜结构

机构

  • 17篇中国科学院上...
  • 8篇武汉理工大学
  • 3篇南京大学
  • 2篇安徽大学
  • 1篇上海师范大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 25篇黄涛华
  • 16篇周圣明
  • 13篇王军
  • 12篇邹军
  • 11篇周健华
  • 8篇林辉
  • 7篇张辉
  • 7篇方亮
  • 7篇刘韩星
  • 6篇杨俊峰
  • 6篇袁润章
  • 5篇孟范成
  • 4篇洪学鹍
  • 4篇李抒智
  • 4篇滕浩
  • 3篇张荣
  • 2篇韩平
  • 2篇徐军
  • 2篇张连翰
  • 2篇罗士雨

传媒

  • 6篇人工晶体学报
  • 3篇物理学报
  • 2篇无机化学学报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2009
  • 7篇2008
  • 3篇2007
  • 6篇2006
  • 2篇2005
  • 6篇2004
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铌酸盐高频介电陶瓷及其制备方法
本发明公开了一类用于微波元器件及陶瓷电容器或温度补偿电容器的铌酸盐高频介电陶瓷,该陶瓷以(Ba<Sub>1-y</Sub>Sr<Sub>y</Sub>)<Sub>7-x</Sub>(La<Sub>s</Sub>Nd<Su...
张辉方亮洪学鹍孟范成杨俊峰黄涛华袁润章刘韩星
文献传递
钨青铜结构Ba_6Zn_(0.67)M_(9.33)O_(30)(M=Nb,Ta)的合成与介电特性被引量:1
2004年
Two compounds Ba 6 Zn 0.67 Nb 9.33 O 3 and Ba 6 Zn 0.67 Ta 9.33 O 30 with tungsten bronze structure were synthesized in the BaO-ZnO-Nb 2 O 5 /Ta 2 O 5 systems by the conventional high temperature solid-state reaction.The stru cture and dielectric properties of Ba 6 Zn 0.67 Nb 9.33 O 3 and Ba 6 Zn 0.67 Ta 9.33 O 30 were determined by X-ray powder diffraction,scanning electron microscope a nd dielectric measurements.The results show that Ba 6 Zn 0.67 Ta 9.33 O 30 belongs to paraelectric phase of fully filled tetragonal tungsten bronze str ucture at room temperature with unit cell parameters a=1.26256(4)nm, c=0.39698(2)nm.The room temperature dielectric constant( ε )of Ba 6 Zn 0.67 Ta 9.33 O 30 ceramic reached108combined with a low dielectric loss of0.005at1MHz .While Ba 6 Zn 0.67 Nb 9.33 O 3 belongs to fully filled tetragonal tungsten bronze structure at room tempera ture with the unit cell parameters a=1.25940(3)nm,c=0.40008 (2)nm.Ba 6 Zn 0.67 Nb 9.33 O 30 ceramic shows significant relaxor behaviors,and the phase transition from f erroelectric to paraelectric occurred at55℃(at1MHz).The room temperature dielectric constant( ε )of ceramic reached570at1MHz.
方亮杨俊峰黄涛华张辉刘韩星
关键词:钨青铜结构介电特性X射线衍射介电材料
新铌酸盐Ba_5LnZnNb_9O_(30)(Ln=Y,La)的合成、结构与介电性能被引量:3
2004年
在 Ba O-Ln2 O3-Zn O-Nb2 O5( Ln=Y,La)体系中通过固相反应法合成了填满型钨青铜结构的新铌酸盐Ba5YZn Nb9O30 与 Ba5La Zn Nb9O30 .采用 X射线衍射分析和扫描电镜进行了结构分析 ,并进行了介电性能测试 .结果表明 ,Ba5YZn Nb9O30 为弛豫性铁电体 ,1 0 k Hz时的居里温度为 2 5℃ ;室温时为四方钨青铜结构铁电相 ,晶胞参数 a=1 .2 5 2 5 5 ( 4) nm,c=0 .3 95 3 0 ( 2 ) nm;1 MHz时陶瓷体的室温相对介电常数为 45 6.Ba5La Zn Nb9O30 在室温下为四方钨青铜结构顺电相 ,晶胞参数 a=1 .2 5 73 1 ( 3 ) nm,c=0 .3 981 2 ( 2 ) nm ;频率为 1 MHz时 ,其陶瓷的室温相对介电常数为 3 1
方亮杨俊峰黄涛华张辉刘韩星袁润章
关键词:铌酸盐介电性能
非极性GaN薄膜及其衬底材料被引量:6
2006年
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括-γL iA lO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高。
周健华周圣明邹军黄涛华徐军谢自力韩平张荣
铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO<Sub>2</Sub>作为衬底,用氢化物气相外延方法制备面(110)面GaN厚膜。方法二:用(302)面γ-LiAlO<Sub>...
周圣明黄涛华邹军李抒智周健华王军
文献传递
Ba<,5>LnNiM<,9>O<,30>(Ln=La,Nd,Sm;M=Nb,Ta)陶瓷的制备、结构与介电特性
随着微波技术的发展,微波介质陶瓷正成为现代通信技术中的关键基础材料,它的研究及应用引起了人们的广泛兴趣.现在移动通信系统逐步向高频化、小型化、集成化、高可靠性方向发展,这对于探索高介电常数微波介质陶瓷体系提出了强烈的要求...
黄涛华
关键词:铌酸盐钽酸盐钨青铜结构XRD
文献传递
铝酸锂晶片的抛光方法
一种铝酸锂晶片的抛光方法,包括下列步骤:将提拉法生长的铝酸锂晶体,用内圆切割机将其切割成一定厚度的晶片;将此晶片放入浓度为78-80%的盐酸或者硝酸中,升温至80-100℃,保温15-30分钟,取出用氮气吹干,用大视场显...
邹军周圣明黄涛华王军周健华
文献传递
γ-LiAlO2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究
2008年
利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性,发现随着入射光偏振方向改变,在偏振透射光谱上,吸收边移动了20meV,这与A、B激子和C激子的能量差一致;而在拉曼光谱上,激发光偏振方向的改变导致E2模式的强度发生明显改变.
周健华周圣明黄涛华林辉李抒智邹军王军韩平张荣
关键词:PLD
射频磁控溅射法制备TiO2-xNX薄膜的结构性能研究
2008年
利用射频磁控溅射法室温下在Si(100)衬底上制备了N掺杂的TiO2薄膜,并且采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射光谱对薄膜进行了表征。XRD结果表明在纯Ar和N2(33.3%)/Ar气氛下制备的TiO2-xNx薄膜均为单一的金红石相,薄膜结晶性良好,呈高度(211)择优取向,而在N2(50.0%)/Ar下制备的薄膜结晶性明显变差;对于N掺杂的TiO2薄膜,XPS表明部分N原子进入TiO2晶格,并且以N-Ti-O、N-O键以及间隙式N原子形式存在;透射光谱表明掺N后的TiO2薄膜吸收边发生了红移。
冯磊罗士雨黄涛华林辉滕浩汪洪周圣明
关键词:TIO2射频磁控溅射氮掺杂X射线光电子能谱
γ-LiAlO_2衬底上生长GaN的研究进展被引量:3
2006年
γ-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。
黄涛华邹军周健华王军张连翰周圣明
关键词:GAN薄膜
共3页<123>
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