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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇团簇
  • 2篇纳米硅
  • 2篇纳米硅薄膜
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇硅团簇
  • 2篇衬底
  • 1篇微米
  • 1篇纳米
  • 1篇工作气压
  • 1篇

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇鲁振
  • 2篇高磊
  • 2篇鲁年鹏
  • 2篇曹则贤
  • 2篇纪爱玲

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法
本发明公开了一种纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束层积方法,包括:1)将硅酸盐玻璃作为衬底置于PED的真空腔体沉积室的样品台上,衬底与靶材之间的距离为40mm;2)当本底真空度低于10<Sup>-4</Sup>Pa时,通入氩气...
曹则贤鲁年鹏纪爱玲鲁振高磊
文献传递
纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法
本发明公开了一种纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束层积方法,包括:1)将硅酸盐玻璃作为衬底置于PED的真空腔体沉积室的样品台上,衬底与靶材之间的距离为40mm;2)当本底真空度低于10<Sup>-4</Sup>Pa时,通入氩气...
曹则贤鲁年鹏纪爱玲鲁振高磊
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共1页<1>
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