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魏劲松: 作品数：146 被引量：42H指数：3; 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

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超高密度数字信息存储的物理基础和关键技术研究: 干福熹陶瑞宝阮昊徐文东尹卫国李进延王海凤胡梁宾厉海金魏劲松李晶; 2002年6月7日，上海科委主持对上海光机所和复旦大学共同承担的上海市科委重点项目“超高密度数字信息存储的物理基础和关键技术研究”[99JC14009]进行了验收。验收专家组成员一致认为，该项目圆满地完成了项目任务书中规...; 关键词：; 关键词：物理基础

聚焦脉冲激光作用下Ge_2Sb_2Te_5薄膜晶化过程及机理: 2002年; 采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.; 魏劲松阮昊干福熹; 关键词：晶化过程 GE2SB2TE5薄膜过饱和度晶化机理

超透镜薄膜结构的超分辨数字光盘: 一种超透镜薄膜结构的超分辨数字光盘，包括超透镜薄膜(2)和盘基(3)，还有介电层(1)，它们依次为介电层(1)/超透镜薄膜(2)/盘基(3)，介电层(1)是氮化硅SiN或ZnS-SiO2；盘基(3)...; 魏劲松施宏仁侯立松干福熹; 文献传递

光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构: 一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特点在于其结构依次包括基片、介电层、超分辨掩膜层、热保护层、磁记录层和保护层，所述的基片为玻璃，所述的介电层、热保护层及保护层由SiN或SiO2构成，所述的超分...; 焦新兵魏劲松干福熹; 文献传递

可调式摄像照明装置: 一种可调式摄像照明装置，包括主机、摄像照明头和终端显示三部分，其特征在于摄像照明同光轴，照明光强、景深和放大率可调，本发明可满足医学手术、实验、商场超市、煤矿井下、隧道、住宅及车辆行人通道等情况的照明的同时进行摄像，照明...; 高秀敏徐文东干福熹王阳周飞张锋魏劲松; 文献传递

一种光刻样品及微纳结构跟踪装置及方法: 一种光刻样品及微纳结构跟踪装置及方法，包括系统光路的搭建，数据标定，实验测试等步骤。针对象散法容易受到噪声影响的问题，提供了一种差分象散法实现高速高精度的跟踪；针对功率探测器件容易受微纳结构表面反射率的影响，提供了一种光...; 许孝忠刘星魏劲松; 文献传递

超分辨近场功能薄膜的膜层结构及其机理研究进展被引量：1: 2007年; 超分辨近场结构光盘是最有希望达到100GB以上的存储容量方式之一,而其记录和读出机理是研究中的重点,在近年文献研究的基础上,阐述了超分辨近场功能薄膜的膜层结构及其机理的研究进展。; 陈文忠吴谊群王阳魏劲松干福熹; 关键词：读出

基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法: 本发明公开了一种基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，包括以下步骤：(1)通过薄膜沉积系统在基片上沉积金属掺杂Sb2Te光刻胶薄膜；(2)利用曝光系统对所述光刻胶薄...; 魏涛魏劲松刘波; 文献传递

基于相变材料的无油墨激光彩色打印方法: 本发明公开了一种基于相变材料的无油墨激光彩色打印方法，包括以下步骤：S1、在基片上镀上一层相变薄膜，所述相变薄膜在激光作用下会产生各种微观结构，并具有不同的光学常数；S2、在所述相变薄膜上沉积一层在可见光波段透明的介电薄...; 魏涛魏劲松刘波; 文献传递

单层及多层微纳结构图形试样跟踪装置及方法: 单层及多层微纳结构图形试样跟踪装置及方法,装置包括照明模块、线阵CCD、计算机、光阑、分光棱镜、面阵CCD、激光器、分光元件、成像透镜、反射镜、扩束镜、衰减片、1/2波片、偏振分光棱镜、1/4波片等，将微纳结构图形试样放...; 刘星魏劲松许孝忠; 文献传递