您的位置： 专家智库 > >

高辉

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：华北电力大学更多>>
发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇磁存储
  • 2篇磁存储器
  • 2篇磁化
  • 2篇存储器
  • 1篇钉扎
  • 1篇随机存储器
  • 1篇隧道结
  • 1篇特征参数
  • 1篇自对准
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米磁性
  • 1篇纳米磁性材料
  • 1篇纳米线
  • 1篇抗干扰
  • 1篇抗干扰性
  • 1篇抗干扰性能
  • 1篇矫顽力
  • 1篇层结构
  • 1篇磁化反转
  • 1篇磁随机存储器

机构

  • 3篇华北电力大学

作者

  • 3篇高辉
  • 2篇郝建红
  • 1篇梁晓东

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
磁性材料微磁特征参数及微磁特性分析研究
随着人们对巨磁阻效应和隧道磁阻效应应用的深入研究，以纳米磁性材料为中心的自旋电子学器件在信息存储中占有着越来越重要的地位，已经广泛应用于纳米磁传感器、磁存储器，自旋转移力矩的RF振荡器等。　　利用微磁学仿真计算手段，研究...
高辉
关键词：纳米磁性材料抗干扰性能
带斜面切口环形自由层的磁存储器翻转单元
本发明提供了一种用于磁随机存储器（MRAM）的新型磁存储器翻转单元的结构模型，包括使用PSV（非钉扎的赝自旋阀）型MTJ（磁性隧道结）和环形带斜面切口的自由层。采用带斜面切口的环形自由层结构，取代传统的通过厚度改变矫顽力...
郝建红梁晓东汪筱巍高辉蒋璐行
文献传递
磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟被引量：2
2013年
针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器,使用带斜面切口环形结构自由层,抛弃采用厚度改变矫顽力的方式,降低了磁性隧道结的面积电阻,改进了垂直电流磁随机存储器.通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口,利用微磁学方法计算分析了自由层的磁化反转特性,结果表明该模型具有低串扰、低面积电阻、高磁阻率以及较强的抗干扰性能.
郝建红高辉
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0