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高正东
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天津大学
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相关领域:
理学
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合作作者
李玲霞
天津大学
孙浩
天津大学
陈俊晓
天津大学
李赛
天津大学
张宁
天津大学
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高正东
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李玲霞
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孙浩
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中温烧结低损耗温度稳定型微波介质陶瓷材料
本发明公开了一种中温烧结低损耗温度稳定型微波介质陶瓷材料,其化学式为:Zn<Sub>0.84</Sub>Ni<Sub>0.16</Sub>TiNb<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>-0.18TiO<Sub...
李玲霞
蔡昊成
高正东
孙浩
吕笑松
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一种片式多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料
本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料,其化学式为Zn<Sub>0.96</Sub>Ni<Sub>0.04</Sub>Zr<Sub>0.05</Sub>Ti<Sub>0.95</Sub>Nb<Sub>2</...
李玲霞
蔡昊成
孙浩
叶静
高正东
吕笑松
文献传递
一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料
本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料,其化学式为Zn<Sub>3</Sub>(Nb<Sub>0.8</Sub>Ta<Sub>0.2</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>,采...
李玲霞
蔡昊成
高正东
孙浩
陈俊晓
吕笑松
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一种低温烧结钛酸锶储能介质陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种低温烧结钛酸锶储能介质陶瓷材料,其化学式为(Sr<Sub>0.9</Sub>Mg<Sub>0.1</Sub>)(Ti<Sub>0.96</Sub>Zr<Sub>0.04</Sub>)O<Sub>3</Su...
李玲霞
于晓旭
蔡昊成
高正东
张宁
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一种片式多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料
本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料,其化学式为Zn<Sub>0.96</Sub>Ni<Sub>0.04</Sub>Zr<Sub>0.05</Sub>Ti<Sub>0.95</Sub>Nb<Sub>2</...
李玲霞
蔡昊成
孙浩
叶静
高正东
吕笑松
文献传递
采用退火法制备超宽温稳定型钛酸钡基介质材料的方法
本发明公开了一种采用退火法制备超宽温稳定型钛酸钡基介质材料的方法,通过将传统固相工艺法获得的钛酸钡基介质材料进行退火,退火温度为1000℃~1100℃,退火时间为1~8h,最终获得性能优异的超宽温稳定型钛酸钡基介质材料。...
李玲霞
陈俊晓
张宁
柳亚然
高正东
于经洋
文献传递
采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷
本发明公开了一种采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷,目标合成物表达式为MgTiO<Sub>3</Sub>,以MgO和TiO<Sub>2</Sub>为原料,通过简单固相法,于850~1000℃预烧,于1250℃-...
李玲霞
高正东
蔡昊成
陈俊晓
李赛
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一种低温烧结低损耗微波介质陶瓷材料
本发明公开了一种低温烧结低损耗微波介质陶瓷材料,其化学式为Ni<Sub>0.04</Sub>Zn<Sub>0.96</Sub>TiNb<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>+(1~4)wt%B<Sub>2</...
李玲霞
蔡昊成
孙浩
高正东
陈俊晓
吕笑松
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一种高品质因数温度稳定型微波介质陶瓷材料
本发明公开了一种高品质因数温度稳定型微波介质陶瓷材料,其化学式为Zn<Sub>0.5</Sub>Mg<Sub>0.5</Sub>ZrNb<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>,采用化学原料ZnO、MgO、Zr...
李玲霞
蔡昊成
孙浩
高正东
陈俊晓
吕笑松
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采用退火法制备超宽温稳定型钛酸钡基介质材料的方法
本发明公开了一种采用退火法制备超宽温稳定型钛酸钡基介质材料的方法,通过将传统固相工艺法获得的钛酸钡基介质材料进行退火,退火温度为1000℃~1100℃,退火时间为1~8h,最终获得性能优异的超宽温稳定型钛酸钡基介质材料。...
李玲霞
陈俊晓
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