陈贵峰
- 作品数：6 被引量：28H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 铜铟硒基核壳量子点的制备及其在光伏应用中的研究（英文）
- Quantum dots(QDs) of I-III-VI2 ternary compounds, such as CuInSe2(CISe) and CuInS2(CIS), have broad applicatio...
- 陈贵峰
- 氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展
- 2007年
- 氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.
- 陈洪建张维连陈贵峰李养贤
- 关键词：GANHVPE
- 半导体熔体的物性及等效微重力效应的研究
- 张雯王胜利刘淑英郝秋艳徐学文陈贵峰
- 该项目为国际上晶体生长基础研究的前沿课题，也是研究磁场对流体作用机理急需解决的问题。通过测量研究半导体熔体在不同强度水平磁场中的磁粘度，发现了熔体的磁粘度和外加磁场磁感应强度呈抛物线关系，首次将外加磁场磁感应强度与等效微...
- 关键词：
- 关键词：半导体晶体晶体生长
- 氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究被引量：2
- 2007年
- 目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等。各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术。氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一。本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展。
- 陈洪建张维连陈贵峰李养贤
- 超磁致伸缩材料及其应用研究被引量：19
- 2004年
- 稀土超磁致伸缩材料是一种新型稀土功能材料 .文章概述了超磁致伸缩材料 (GMM)的研究历史 ;对比了一种实用的超磁致伸缩材料 (Terfenol D)和压电陶瓷材料 (PZT)的性能 ;阐述了超磁致伸缩材料当前在以下两个方面取得的研究进展 :(1)关于工艺方法的研究 :包括直拉法、区熔法、布里奇曼法和粉末烧结、粘结等方法 ;(2 )关于材料组分的研究 :包括对Fe原子的替代研究以及开发轻稀土超磁致伸缩材料的研究 .文章最后叙述了超磁致伸缩材料的应用领域 。
- 李松涛孟凡斌刘何燕陈贵峰沈俊李养贤
- 关键词：稀土超磁致伸缩材料TERFENOL-D轻稀土直拉法布里奇曼法
- 快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究被引量：7
- 2005年
- 通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化 .经快中子辐照 ,直拉硅样品的导电类型由n型转变为p型 .在 4 5 0和6 0 0℃热处理出现两种受主中心 ,分别由V2 O2 ,V2 O ,VO2 ,V O V及V4 型缺陷引起 ,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加 ;大于 6 5 0℃热处理这些受主态缺陷迅速消失 ,样品的载流子迁移率及载流子类型开始恢复 ,并出现一种与辐照相关的施主态缺陷 ,导致样品的电子浓度增加 ,电阻率迅速下降 .这种施主态缺陷的浓度在 75 0℃热处理达到最大 ,并在随后大于 90 0℃ ,1h热处理很快被消除 .
- 李养贤杨帅陈贵峰马巧云牛萍娟陈东风李洪涛王宝义
- 关键词：快中子辐照载流子电子浓度
