陈大任
- 作品数：39 被引量：353H指数：11
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 多层独石式压电微位移器的扫描电声像研究被引量：1
- 1998年
- 对多层独石式压电微位移器的陶瓷／内电极层界面进行扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描电声显微镜（ＳＥＡＭ）的无损观察，发现该界面在ＳＥＭ和ＳＥＡＭ下观察得到的像所给出的信息存在着很大差别。根据ＳＥＡＭ的成像原理、探针能谱分析（ＥＤＳ）以及器件本身陶瓷／内电极层间的层状结构形式，认为这种差异是由于器件在热压和烧结等制作过程中，陶瓷层和内电极层间不同的收缩率使得界面产生非均匀性力学性能而引起的，它与器件烧结时陶瓷与内电极间界面的残余热应力有关。该热应力也是器件烧成时陶瓷与内电极分层以及部分器件在加电压应用时沿界面产生分层现象的一个重要原因。
- 李国荣姚烈陈大任殷庆瑞
- 关键词：流延法
- 铌酸铅钡锂压电陶瓷电场应变特性研究
- 对填满钨青铜结构压电陶瓷[Pbx(Ba. Sr)](NaLi)NbO(x=0.64)的电场(S)-应变(E)关系进行了研究。结果表明,该陶瓷的S-E线性极为良好,在低电场下不存在钙钛矿型PZT系陶瓷固有的产生不可逆90°...
- 陈大任李国荣张望重
- 关键词：压电陶瓷
- 文献传递
- 流延成膜技术制备高性能多层片式压电陶瓷微驱动器研究被引量：13
- 1999年
- 采用压电陶瓷流延厚膜成型技术以及厚膜与金属内电极共烧技术制备了逆压电效应下工作的多层片式压电陶瓷微位移驱动器． 该器件具有工作电压低、功耗小、响应快、器件尺寸微小型化等特点，适合于微电子及微型机械应用．本课题对该器件与应用密切相关的位移－ 电压关系及位移蠕变性能、驱动力和使用寿命等性能进行测试和研究．
- 李国荣陈大任张望重张申沈卫殷庆瑞
- 关键词：压电陶瓷微位移驱动器
- G-1玻璃料对BaTiO_3基介质陶瓷的影响被引量：2
- 1989年
- 文章介绍了G-1玻璃(PbO-Bi_2O_3-BO_3-CdO系,加入量3.5wt％～10wt％)对(Ba_(1-x)Sr_x)(Ti_(1-y)Zr_y)O_3系铁电陶瓷的烧结性能和介电性能的影响。在上述玻璃加入量范围内,材料均能在1120℃左右烧结。该玻璃料对该系统铁电陶瓷有明显的降低居里温度T_c的作用,发现低温烧结试样与高温烧结试样的介电性能有较大的差异,低温烧结试样在从低温升温至-10℃左右时,出现介电常数突然增高的异常现象。文章从玻璃相对基相的化学作用、应力等物理作用方面对以上结果作了分析和讨论。
- 陈大任栾怀顺
- 关键词：BATIO3铁电陶瓷陶瓷
- PbZrO_3含量对PZN-PZ-PT因溶体弥散性相变的影响被引量：2
- 2000年
- 报道了相界附近PZN-PZ－PT三元系固溶体弥散性相变，并研究了PbZrO3含量对PZN－PZ－PT固溶体弥散性相变的影响，发现随着PbZrO3含量的增加，PZN－PZ－PT固溶体弥散程度有所增加．
- 江向平方健文初宝进曾华荣陈大任殷庆瑞
- 关键词：固溶体铁电体
- 横向伸缩多层独石式压电微位移器
- 本实用新型涉及一种提供横向伸缩位移多层独石式压电陶瓷微位移器的结构,属于压电陶瓷微位移器的领域。它是在常规的纵向伸缩位移多层独石式压电陶瓷微位移器结构和制备的基础上,通过制备上、下表面电极,克服原表面非活性层对横向伸缩位...
- 陈大任李国荣殷庆瑞
- 文献传递
- 压电陶瓷微致动器在计算机硬盘磁道定位机构中的应用被引量：3
- 2000年
- 计算机硬盘磁道定位机构是计算机硬盘中的一个十分重要部件 .快速、准确地读取计算机硬盘上宽度为μm级的磁道信号是计算机硬盘磁道定位器设计和制作中的关键课题 ,对提高硬盘存储信号密度和读取时间有着重要意义 .文中利用多层片式压电陶瓷微致动器制作了适合计算机硬盘磁头二级定位用的磁道定位机构 ,并对该定位器的驱动性能进行了分析和研究 .
- 李国荣陈大任张申沈卫殷庆瑞毕超郭伟郑广德
- 关键词：计算机磁盘
- 钨青铜型结构PBNN压电陶瓷电场-应变特性研究被引量：3
- 1998年
- 对钨青铜结构型的压电陶瓷［Pbx（Ba．Sr）1-x］4（Na0．88Li0．12）2Nb10O30，x＝0．64（PBNN）的逆压电效应的应变（S）随电场（E）变化特性进行了研究，研究表明该材料的S-E线性好，滞后小．是一种制备随动型压电微位移器的优良材料．从X射线结构分析和S-E变化关系精细测量分析表明，该材料不存在钙钛矿结构型PZT系压电陶瓷（属赝立方铁电相）中由于，三晶轴在外电场下互换形成的畴的90°转向，仅有畴的180°转向．这是它S-E特性优良的原因．测量表明，其S-E关系在～350V／mm较高场强处斜率呈现～5％的微小突增，认为这是由于它属假正交晶系，在较强外场下轴长几乎相等的a、b轴间互换对应变的贡献所致．
- 陈大任李国荣
- 关键词：压电陶瓷电场微位移器
- 铌铁酸铅陶瓷介电常数的温度与频率特性被引量：1
- 1995年
- 本工作在室温至大约３００℃，５Ｈｚ～１３ＭＨｚ，测量了铌铁酸铅陶瓷的介电常数．发现在ε～Ｔ曲线上除１１０℃附近的峰外，在较高的温度还有另一个峰．这后一个介电峰用体性质与表面性质不同给予了定性的解释．
- 王评初李峥陈大任
- 关键词：介电常数陶瓷温度铁电材料
- 化学键分散剂在PZN—PZT浆料中的分散性研究
- 2001年
- 利用异丙醇钛与长链羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT-IR技术研究了该分散剂在PZN-PZT浆料中的分散性能.结果表明,该分散剂在PZN-PZT浆料中具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上呈单分子层成键状态,分散剂分子与颗粒表面上的羟基发生化学反应,导致二者之间呈较强的化学键结合状态,从而有力地改善了PZN-PZT浆料中的分散性、均匀性.
- 曾华荣李国荣张望重江向平陈大任殷庆瑞
- 关键词：PZN-PZT分散性
