陈圣
- 作品数：6 被引量：9H指数：1
- 供职机构：绍兴文理学院数理信息学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- Er_2O_3栅介质积累端电容频率色散效应的研究
- 2011年
- 采用分子束外延(MBE)方法在Si(001)衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压(C-V)测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。
- 姚博方泽波朱燕艳陈圣李海蓉
- 关键词：高K栅介质
- Er_2O_3薄膜的电学性质研究被引量：1
- 2005年
- Er2O3是一种很有希望的高κ材料。在氧气氛下热蒸发金属铒源,制备了Er2O3的薄膜,随后在氧气氛下对它进行了退火。通过对其C-V及I-V特性的测试,认为该材料的电学特性优秀,应该进行进一步的研究。
- 陈圣徐润朱燕艳方泽波薛菲樊永良蒋最敏
- Er2O3单晶薄膜的生长以及Er2O3/Si异质结的能带偏移
- 本文使用分子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.在较低的温度和较低的氧气压下在薄...
- 朱燕艳徐闰陈圣方泽波薛菲樊永良蒋最敏
- 关键词：分子束外延
- 文献传递
- 非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究被引量：8
- 2008年
- 采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
- 方泽波谭永胜朱燕艳陈圣蒋最敏
- 关键词：高K栅介质
- 分子束外延生长Er/_2O/_3高k栅介质材料的物理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备
- 分子束外延/(Molecular beam epitaxy, MBE/)是一种在超高真空条件下，使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜的技术。由于它能对薄膜生长进行精确的控制，并且是一种远离平衡态的生长技术...
- 陈圣
- 关键词：高K材料磁性半导体分子束外延
- 文献传递
- 电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜被引量：1
- 2005年
- 使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化。而且,生长在SiO2/Si衬底上的Er2O3单晶薄膜的结晶情况和表面粗糙度比生长在清洁的Si衬底上的薄膜要好很多。
- 朱燕艳徐润陈圣方泽波薛菲樊永良蒋最敏
- 关键词：分子束外延介质膜
