陈国栋
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物
- 本发明公开了一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物。本发明组合物由研磨颗粒、络合剂、表面活性剂、抑菌剂、无机碱和水组成；研磨颗粒的含量为重量百分比5～50％；络合剂的含量为重量百分比0.01～10％；表面活性剂的含量为...
- 何彦刚牛新环孙鸣陈国栋张玉峰周建伟刘玉岭
- 文献传递
- 不同磨料质量分数对化学机械平坦化的影响被引量：1
- 2014年
- 采用自主研发的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究了不同磨料质量分数对铜和钽抛光速率与膜厚一致性的影响;分析了磨料质量分数为2%,2.8%和3.6%时,膜厚一致性对平坦化的影响。抛光结果显示:当磨料质量分数高于2.8%时,抛光液开始对钽进行有效的抛光;随着磨料浓度的增加,抛光液的膜厚一致性提高趋于平缓。磨料质量分数为2.8%和3.6%时,抛光后膜厚一致性变好,碟形坑满足工业生产要求;磨料质量分数为2%时,抛光后膜厚一致性比抛光前恶化,碟形坑相对较大。由此可见,当磨料质量分数为2.8%时,抛光液能有效去除残余铜,并且抛光后膜厚一致性好,有利于实现平坦化,尤其是对提高成品率和优品率有重要的作用。
- 刘伟娟刘玉岭王辰伟袁浩博陈国栋蒋勐婷
- 关键词：抛光速率
- 碱性铜抛光液在CMP工艺中的性能评估被引量：3
- 2014年
- 研究了一种碱性铜抛光液,其基本组分是硅溶胶磨料、新型FA/O V型螯合剂、非离子表面活性剂和氧化剂(H2O2)。在压力为2 psi(1 psi=6.895 kPa)、抛头转速与抛盘转速分别为97和103 r/min、流量为300 mL/min的条件下,分析了铜膜去除速率随着螯合剂和氧化剂体积分数增加的作用规律。结果表明,加入体积分数2%的螯合剂和体积分数3%的氧化剂时,抛光液具有较好的自钝化能力和较高的铜膜去除速率。同时,研究了工艺参数在抛光过程中对去除速率和片内非均匀性(WIWNU)的影响,平坦化实验的抛光工艺选择压力1.5 psi、抛头和抛盘转速分别为87和93 r/min、流量300 mL/min。实验结果表明:此种抛光液在上述工艺条件下,抛光结束时剩余高低差为63.7 nm,具有较好的平坦化效果,对抛光液商业化提供了参考价值。
- 袁浩博刘玉岭蒋勐婷刘伟娟陈国栋
- 关键词：去除速率平坦化
- 稀释倍数对弱碱性铜粗抛液性能的影响被引量：2
- 2014年
- 研究了三种不同稀释倍数的弱碱性铜粗抛液,原液采用商用FA/O型铜抛光液,稀释倍数分别为1倍、3倍和5倍。基于化学机械抛光(CMP)作用机理,在相同工艺条件下分析了三种粗抛液对铜膜的平均去除速率、片内非均匀性(WIWNU)和平坦化性能等指标的影响。铜膜的抛光实验结果表明:稀释3倍的弱碱性铜粗抛液对铜膜平均去除速率高达869.76 nm/min,片内非均匀性仅为2.32%。四层图形片的平坦化测试结果显示,图形片初始高低差为312.5 nm,采用稀释3倍的粗抛液抛光20 s后,有效消除高低差261.5 nm,基本实现了全局平坦化,满足45 nm技术节点的要求。
- 蒋勐婷刘玉岭王辰伟袁浩博陈国栋刘伟娟
- 关键词：弱碱性去除速率
- 各组分体积分数对碱性抛光液存储时间的影响被引量：1
- 2014年
- 主要研究了碱性抛光液各组分体积分数对其有效存储时间的影响。实验中每隔两个月测试了抛光液的pH值、平均粒径和Cu膜去除速率等参数随存储时间的变化值。研究表明:FA/O螯合剂体积分数是影响抛光液有效存储时间的主要因素,螯合剂体积分数越高抛光液的有效存储时间越短。在FA/O螯合剂体积分数较低时(8%),Cu布线碱性抛光液的有效存储时间在半年以上,基本能够符合产业化要求。SiO2磨料体积分数和非离子型表面活性剂体积分数是影响碱性抛光液有效存储时间的次要因素,对其有效存储时间影响不明显。
- 陈国栋刘玉岭蒋勐婷刘伟娟袁浩博
- 关键词：碱性抛光液稳定性铜布线
- GLSI多层铜布线碱性抛光液稳定性的研究
- 新器件、新材料和新工艺不断推动着集成电路按照摩尔定律快速发展。越来越高的集成度，越来越小的特征尺寸和越来越大的晶圆面积对超精密加工技术提出了更高的挑战。化学机械平坦化（chemical mechanical planar...
- 陈国栋
- 关键词：集成电路铜布线碱性抛光液稳定性
