2024年8月26日
星期一
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
阮华棚
作品数:
9
被引量:3
H指数:1
供职机构:
山东大学
更多>>
发文基金:
山东大学自主创新基金
山东省自然科学基金
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
理学
电子电信
金属学及工艺
化学工程
更多>>
合作作者
施琼
山东大学物理学院晶体材料国家重...
王善朋
山东大学物理学院晶体材料国家重...
陶绪堂
山东大学物理学院晶体材料国家重...
张国栋
山东大学物理学院晶体材料国家重...
蒋民华
山东大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
7篇
专利
1篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
2篇
理学
1篇
化学工程
1篇
金属学及工艺
1篇
电子电信
主题
6篇
单晶
6篇
石英管
5篇
多晶
4篇
单晶生长
4篇
单质
4篇
结石
3篇
温区
2篇
形核
2篇
籽晶
2篇
籽晶生长
2篇
晶体
2篇
晶体生长
2篇
合成炉
2篇
镉
1篇
多晶合成
1篇
性能表征
1篇
真空密封
1篇
石英
1篇
解压
1篇
化合物
机构
9篇
山东大学
作者
9篇
阮华棚
8篇
张国栋
8篇
陶绪堂
8篇
王善朋
8篇
施琼
7篇
蒋民华
1篇
董春明
1篇
刘贯东
1篇
高泽亮
传媒
1篇
人工晶体学报
年份
1篇
2013
3篇
2012
5篇
2011
共
9
条 记 录,以下是 1-9
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
磷硅镉单晶的生长方法
本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05配料合成磷硅镉多晶料,采用坩埚下降炉,通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括:将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中,或者加入籽晶后再装入坩埚中;将坩...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
P族多元化合物双温区合成容器及装置
本实用新型涉及一种P族多元化合物的双温区合成容器及装置,合成容器由可真空密封的石英管和料舟组成。石英管为一端封口的厚壁石英管,距封口端依次设有石英挡板a和石英挡板b。石英管的开口端有便于真空封结的石英销。合成装置包括合成...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
文献传递
磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置
本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置,将单质原料按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05配料,将磷放入双温区石英管的一端,将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端,将双温区石英管抽真空后封结;分别使双温区炉的两...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
磷硅镉单晶的生长方法
本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05配料合成磷硅镉多晶料,采用坩埚下降炉,通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括:将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中,或者加入籽晶后再装入坩埚中;将坩...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
文献传递
磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置
本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置,将单质原料按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05配料,将磷放入双温区石英管的一端,将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端,将双温区石英管抽真空后封结;分别使双温区炉的两...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
文献传递
磷硅镉多晶料的合成方法
本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法,按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05摩尔比,将纯度为99.999%的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中,将合成坩埚装入石英管中;抽真空后封结石英管;将石英管装入单温区合成炉中,使单温区炉...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
文献传递
磷硅化合物合成、晶体生长及性能表征
磷硅化合物是一类晶体结构非常丰富的材料。到目前为止,研究工作主要是磷硅化合物的合成和结构表征,而对磷硅化合物的体块晶体生长和性能方面的研究还很少。开展磷硅化合物多晶合成、体块晶体生长以及性能表征,对探索其潜在的应用具有重...
阮华棚
关键词:
固相合成
晶体生长
文献传递
新型红外非线性光学晶体LiGaTe_2的多晶合成与晶体生长
被引量:3
2011年
采用直接合成方法无法得到纯相的碲镓锂(LiGaTe2)多晶原料,因此提出了两步合成法进行LiGaTe2多晶原料合成,即先合成二元相Ga2Te3,再以Ga2Te3、Li、Te为原料按化学计量比配料在较低温度(850℃)下合成纯相的碲镓锂多晶料,并对具体的反应机理进行了讨论。对所得碲镓锂多晶料进行了XRD分析,结果显示合成的多晶为单相高纯LiGaTe2。差示扫描量热分析(DSC)表明,LiGaTe2的熔点为674.78℃。初步开展了LiGaTe2晶体的生长研究,对晶体生长结果进行了探讨。
王善朋
刘贯东
施琼
张国栋
阮华棚
高泽亮
董春明
陶绪堂
关键词:
多晶合成
晶体生长
磷硅镉多晶料的合成方法
本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法,按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05摩尔比,将纯度为99.999%的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中,将合成坩埚装入石英管中;抽真空后封结石英管;将石英管装入单温区合成炉中,使单温区炉...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张