金海岩
- 作品数：24 被引量：78H指数：5
- 供职机构：北京大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- TiO_2薄膜氧敏特性研究被引量：1
- 1997年
- 金属氧化物(如ZrO_2,TiO_2等)随氧分压不同,有改变电导率这一性质而被广泛地用来制作氧敏传感器.传统的传感器大多是体材料或厚膜材料。工作时需加高温。本文描述的是TiO_2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分压不同而改变的氧敏现象,测定了该肖特基二极管的氧敏特性,并讨论了它的敏感机理。
- 姚红军汪荣昌戎瑞芬徐飞金海岩
- 关键词：氧敏传感器肖特基MOCVD二氧化钛
- 超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路被引量：4
- 2001年
- 报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2
- 张利春高玉芝金海岩倪学文莫邦燹宁宝俊罗葵叶红飞赵宝瑛张广勤
- 关键词：双层多晶硅发射极晶体管集成电路
- 深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究被引量：3
- 2005年
- 采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600～850°C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致。比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150°C。在850°CRTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-V特性很好,其势垒高度ΦB为0.71eV,改善了肖特基二极管的稳定性。实验表明在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度地提高其反向击穿电压。在外延层浓度为5E15cm-3时,深槽器件的击穿电压可以达到80V,比保护环器件高约30V。
- 张慧张利春高玉芝金海岩
- 关键词：肖特基二极管深槽
- 性能优良的RCA微波功率晶体管
- 2003年
- 首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对
- 蔡勇张利春高玉芝金海岩叶红飞张树丹
- 关键词：RCA微波功率晶体管多晶硅发射区电流增益直流增益
- TiO_2薄膜氧敏特性研究被引量：18
- 1997年
- 金属氧化物（如ZrO2，TiO2等）随氧分压不同而改变其电导率这一性质被广泛地用来制作氧敏传感器．传统的传感器大多采用体材料或厚膜材料，工作时需加高温．本文描述了TiO2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分区不同而改变的氧敏现象，测定了该肖特基二极管的氧敏特性，讨论了其敏感机理．
- 姚红军汪荣昌戎瑞芬徐飞金海岩
- 关键词：二氧化钛氧敏传感器半导体薄膜技术
- Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究被引量：7
- 2005年
- 对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600～800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100～150°C.依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2%和4%的Pt样品进行了分析.结果表明,掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性.最后,制作了I-V特性良好的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的Pt改善了NiSi肖特基二极管的稳定性.
- 黄伟张利春高玉芝金海岩卢建政张慧
- 关键词：镍硅化物快速热退火X射线衍射分析
- 双层多晶硅发射极晶体管电路及锗硅HBT研究
- 随着移动通讯,卫星通信,无线局域网以及高速计算机的广泛应用,超高速数字集成电路和微波集成电路越来越成为人们研究和开发的重点.该文介绍的研究工作是围绕如何提高硅双极器件和电路的工作速度这一中心内容而展开,包括结构上的改进—...
- 金海岩
- 关键词：锗硅
- 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善被引量：4
- 2005年
- 报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性 .结果表明 ,经 6 5 0— 80 0℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低 ,约为 2 .4 (Ω/□ ) .XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相 ,而没有NiSi2 生成 .由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人 5 .9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用 .经 6 5 0— 80 0℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好 ,势垒高度ΦB 为 0 .6 4— 0 .6 6eV ,理想因子接近于 1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性 .
- 黄伟张利春高玉芝金海岩
- 关键词：镍硅化物快速热退火热稳定性卢瑟福背散射
- 应变Si1-xGex层禁带宽度的研究
- 在前人研究的基础上,本文提出了锗硅材料禁带宽度随含量x、温度T、及掺杂浓度N<,A>变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量,与实验数据进行了对比,两者符...
- 金海岩张利春高玉芝
- 关键词：锗硅材料禁带宽度
- 文献传递
- 双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量
- 2001年
- 采用一种新的方法计算双极器件中离子注 B硅基区和原位掺 B的锗硅基区禁带变窄量 .在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已知的情况下 ,应用这种方法只需测量室温和液氮温度下的电学特性就可以获得禁带变窄量 .这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG.利用这种方法测试了硅双极器件和锗硅基区双极器件 ,其基区禁带变窄量分别为 41me V和 12 5 me V,这个测量结果与文献中的数值符合较好 .
- 金海岩张利春
- 关键词：双极晶体管双极器件
