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郭嘉

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金:安徽省人才开发基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇退火
  • 3篇膜厚
  • 3篇SOL-GE...
  • 3篇SOL-GE...
  • 2篇SIO2
  • 2篇SIO2薄膜
  • 1篇电泳
  • 1篇电泳法
  • 1篇短波
  • 1篇折射率
  • 1篇可见光
  • 1篇可见光区
  • 1篇激子
  • 1篇发射谱
  • 1篇ZN

机构

  • 4篇中国科学技术...
  • 1篇合肥工业大学

作者

  • 4篇郭嘉
  • 3篇刘洪图
  • 3篇龚明
  • 2篇王燎原
  • 2篇张慰萍
  • 2篇郭海
  • 2篇刘佩尧
  • 2篇陈滢滢
  • 1篇周世铭
  • 1篇汪壮兵
  • 1篇施朝淑
  • 1篇孔宁
  • 1篇陈莹莹

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇第五届中国功...
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 4篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
用电泳法制备Zn_xMg_(1-x)O薄膜及其特性研究被引量:2
2004年
用电泳法制备了一系列ZnxMg1 -xO薄膜 .对ZnxMg1 -xO薄膜的光致发光研究表明 ,在薄膜发射谱的紫外区域有两个显著的峰 ,分别对应自由激子和激子间碰撞的发光 .在可见光区域 ,发射谱的强度基本保持恒定 ,没有发现通常报道的绿光发射 ,说明生长的薄膜中氧与其他元素保持很好的化学配比 ,抑制了基于氧空位的绿带发射机理 .另一方面 ,薄膜成分中Mg含量的变化和退火温度的变化对薄膜的发射谱有显著的影响 ,表现在ZnxMg1 -xO的紫外发射峰随Mg含量的增加向短波方向移动 。
汪壮兵许小亮陈莹莹周世铭孔宁郭嘉刘洪图施朝淑
关键词:发射谱可见光区激子短波
退火对sol-gel法生长的SiO<,2>薄膜特性的影响
用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO<,2>薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其...
郭嘉龚明许小亮张慰萍郭海王燎原陈滢滢刘佩尧刘洪图
关键词:退火SOL-GEL膜厚折射率
文献传递
退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响被引量:1
2004年
用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.
郭嘉龚明许小亮张慰萍郭海王燎原陈滢滢刘佩尧刘洪图
关键词:退火SOL-GELSIO2薄膜膜厚
退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响
用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂)。以普通浮法玻璃为衬底,用漫渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜。对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变...
郭嘉龚明许小亮张慰萍郭海王燎原陈滢滢刘佩尧刘洪图
关键词:退火SOL-GELSIO2薄膜膜厚
文献传递
共1页<1>
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