邹崇文
- 作品数：30 被引量：43H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 碳化硅表面锌的吸附及其热氧化的同步辐射光电子能谱研究
- 2006年
- 利用同步辐射光电子能谱(Synchrotronradiationphotoelectronspectroscopy,SRPES)和X射线光电子能谱(X-rayphotoelectronspectroscopy,XPS)技术,研究了金属Zn在6H-SiC表面的吸附和热氧化以及ZnO/SiC的界面形成过程。研究结果表明,在SiC表面沉积金属Zn的初始阶段,Zn可以夺取SiC衬底表面残留的氧并与之成键。随着Zn覆盖度的增加,表面具有金属特性。在2.0×10-4Pa的氧气氛中180℃温度退火下,覆盖的Zn会被部分氧化形成ZnO,还有部分Zn因其在真空中的低蒸发温度而逸出表面。在同样的氧气氛中600℃温度退火后,覆盖的金属Zn全部被氧化而生成ZnO。在氧气氛中退火时,衬底也会轻度氧化,从而导致在ZnO/SiC界面处存在一层很薄的Si的氧化层。根据得到的光电子能谱的实验结果,计算出ZnO/SiC异质结的价带偏移为1.1eV。
- 徐彭寿孙柏邹崇文武煜宇潘海斌徐法强
- 关键词：锌热氧化光电子能谱
- 一种硅表面化学清洗方法被引量：5
- 2007年
- 本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法,它主要包括H2SO4∶H2O2溶液清洗和HF:C2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和反射高能电子衍射(RHEED)等技术进行表征。结果表明,运用此方法能得到平整清洁的Si表面。为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染,我们提出用无水乙醇(C2H5OH)来保护H-Si表面。300℃除气前后XPS的对比结果表明,清洗后的Si表面不存在B,但吸附少量F,以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O。根据Si 2p芯能级的同步辐射光电子能谱(SRPES),可以确定Si氧化物薄膜的厚度只有一个单层,经1000℃退火25 min后,XPS和SRPES的结果表明Si表面已经非常清洁,并且出现了两个Si的表面态。
- 王科范刘金峰邹崇文张文华徐彭寿徐法强
- 关键词：硅表面化学清洗光电子能谱
- 反光电发射谱技术及其应用
- 2003年
- 本文介绍了反光电发射谱技术的基本原理,实验设备和实验方法,并详细综述了这种技术在表面科学,磁性材料,强关联复杂系统和高分子聚合材料等方面最新的研究进展。
- 邹崇文徐彭寿潘海斌徐法强
- 关键词：化学分析电子结构费米能级磁性材料
- ZnO(000)表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究被引量：3
- 2007年
- 利用同步辐射角分辨光电子能谱(angle-resolved photoeletron spectroscopy,ARPES)并结合全势缀加平面波(full potential linearized augmented plane waves,FPLAPW)理论计算方法研究了ZnO(000)表面的价带电子结构及能带色散.通过垂直出射的ARPES得到ZnO体态沿ΓA方向的能带结构并确定了两个表面态,实验结果与理论计算结果较为一致.利用非垂直出射的ARPES得到这两个表面态沿ΓKM方向的二维能带色散.
- 徐彭寿武煜宇邹崇文孙柏袁洪涛杜小龙
- 关键词：角分辨光电子能谱
- 衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响被引量：11
- 2006年
- 在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜．ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征．同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性．实验结果表明,在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量,并且表现出很强的紫外发射．在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中,还观察到了一个位于430nm处的紫光发射,我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关,这个势阱可能起源于Zn填隙(Zni)．
- 孙柏邹崇文刘忠良徐彭寿张国斌
- 关键词：ZNO脉冲激光淀积光致发光
- NSRL表面物理站的调试及宽禁带半导体的SRPES研究
- 同步辐射光电子能谱作为一种探测物质电子结构的手段，经过几十年的发展已经成为一种非常成熟的实验技术。由于这种技术能够对样品的表面和界面进行无损伤的探测，而且能够在超高真空的环境下进行原位分析，因此广泛的应用于固体材料的能带...
- 邹崇文
- 关键词：宽禁带半导体金属半导体
- 文献传递
- 一种单斜相二氧化钒外延薄膜及其制备方法
- 本发明提供了一种单斜相二氧化钒外延薄膜及其制备方法，包括以下步骤：在真空条件下，将钒原子束和氧原子束喷射到衬底上进行反应，外延生长得到单斜相二氧化钒外延薄膜。本发明所制备的单斜相二氧化钒外延薄膜，具有较高的质量和较大的尺...
- 邹崇文陈实樊乐乐吴自玉
- 文献传递
- 低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究被引量：1
- 2005年
- 利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长.由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为1·4eV.通过对界面价带谱和Au4f芯能级谱的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au_Ga合金.
- 邹崇文孙柏王国栋张文华徐彭寿潘海斌徐法强尹志军邱凯
- 关键词：AU同步辐射光电子能谱势垒高度态密度平面波价带
- ZnO中H导致的缺陷态的局域振动模式研究被引量：3
- 2006年
- 利用全势缀加平面波加局域轨道(APW+lo)的方法,对ZnO中H导致的几种缺陷态进行了研究,从计算的缺陷形成能来看,缺陷态最可能占据BC∥局域结构位置.但通过缺陷态的局域振动模式(LVMs)的理论计算与红外吸收(IR)实验结果的比较,我们认为:ZnO中H导致的缺陷态可以占据BC∥和ABo∥两种局域结构位置.
- 武煜宇邹崇文徐彭寿
- 关键词：ZNO
- 一种用于电致变色窗的电解液及制备方法
- 本发明公开了一种用于电致变色窗高性能水系电解液及制备方法，属于电致变色窗技术领域。所述电致变色窗包括透明导电玻璃上电极层，透明导电玻璃下电极层，生长在透明导电玻璃下电极层上的电极变色层和与所述电致变色层表面接触的水系电解...
- 邹崇文胡昌隆李亮
