邝俊峰
- 作品数：6 被引量：32H指数：3
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 小尺寸TFT-LCD驱动电路的设计被引量：7
- 2005年
- 根据TFT-LCD的工作原理和显示驱动电路的结构,应用硬件设计出小尺寸TFT-LCD的驱动电路,实现图像的清晰显示。介绍了硬件电路设计的实现方法。
- 张志伟荆海黄金英邝俊峰蔡克烜朱长春
- 关键词：TFT-LCD栅驱动
- 多晶硅的定向生长方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，形成一薄层镍硅化合物NiS...
- 廖燕平邵喜斌邝俊峰荆海付国柱骆文生郜峰利缪国庆
- 文献传递
- 多晶硅的定向生长方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，形成一薄层镍硅化合物NiS...
- 廖燕平邵喜斌邝俊峰荆海付国柱骆文生郜峰利缪国庆
- 文献传递
- 氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用被引量：7
- 2004年
- 采用钨丝催化化学气相沉积(Cat CVD)方法制备多晶硅(p Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势。通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si—Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度。
- 邝俊峰付国柱高博高文涛黄金英廖燕平荆海
- 关键词：多晶硅薄膜氢原子催化化学气相沉积
- TFT-OLED驱动电路的研究被引量：17
- 2004年
- 从OLED的发光原理出发,介绍了OLED器件的结构特点和常用的TFT OLED像素电路的结构。利用TFT OLED行列驱动芯片和控制芯片,通过MCS 51单片机的控制来驱动240×320×3点阵的TFT OLED屏,实现大信息量的图形显示。该设计方案所需外围器件少,硬件结构简单,有利于提高系统的运行效率。介绍了驱动模块的功能和硬件接口电路的设计方法,并给出了单片机的软件流程图。
- 张志伟荆海邝俊峰蔡克炬郜峰利朱长春
- 关键词：TFT-OLED像素电路有源驱动单片机控制
- Cat-CVD LTPS-TFT制备技术研究
- 以薄膜晶体管(TFT)为核心的有源驱动技术正成为高品质平板显示的关键技术，具有极大的市场应用前景。目前，TFT主流技术是非晶硅(a-Si)TFT。多晶硅(p-Si)材料与非晶硅材料相比较具有迁移率高、易于掺杂、适用于周边...
- 邝俊峰
- 关键词：低温多晶硅催化化学气相沉积薄膜晶体管
- 文献传递
