邓玲娜
- 作品数：17 被引量：62H指数：2
- 供职机构：东华理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程机械工程更多>>
- 双离子束溅射法制备SiO_xN_y薄膜的结构与发光
- 2006年
- 本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm(紫光)、470 nm(蓝光)的光致发光。根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理:470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强。
- 李群黎定国邓玲娜刘义保诸葛兰剑吴雪梅
- 关键词：SIOXNY薄膜
- 基于以太网的数据采集终端设计被引量：5
- 2005年
- 具有以太网接口的数据采集终端是以太网数据采集系统的前端设备。采用嵌入式网络单片机来设计以太网接入的数据采集终端,具有结构简单、成本低、体积小、易于实现的特点。主要介绍了以8bit嵌入式网络单片机SF0020为核心,配置512KBytes程序和数据存储空间,通过与A/D转换芯片MAX1263和物理层收发器DM9161的连接,组成一款基于以太网的数据采集终端。它具有250Ksps的最高转换速度,12bit的分辨率和4个输入通道,可以在该数据采集终端基础上,方便地进行网络仪器仪表的开发。
- 邓玲娜黎定国何为民
- 关键词：以太网数据采集TCP/IP协议
- 导线电流相互作用演示仪及演示方法
- 本发明属于物理学领域，特别涉及一种导线电流相互作用演示仪及演示方法。其特征在于：在底座内安装有一个直流电源，其正极通过一个按钮开关和电源正极输出接线柱连接；负极与电源负极输出接线柱连接；底座和支架的顶端对应设有四个接线柱...
- 黎定国刘义保邓玲娜陆俊发
- 文献传递
- 自旋极化电子源装置研究
- 2005年
- 自旋极化电子在许多研究领域有着广泛用途,目前国际上普遍采用光电离GaAs晶体产生自旋极化电子。本文介绍自旋极化电子产生的原理及一种设计简洁、结构简单的极化电子源装置。该十字型四通道装置内有一非常简单的900静电偏转器,新型的用于固定晶片的弹簧夹子可保证晶片加热均匀。用波长780nm圆偏振激光激活GaAs光电阴极可以产生极化电子,然后通过900静电偏转器及一组静电透镜将极化电子引到反应区。
- 邓玲娜刘义保何为民
- 关键词：自旋极化电子GAAS晶体光电阴极偏振激光静电透镜光电离
- 基于P89LPC932单片机的夫兰克-赫兹实验仪的设计被引量：1
- 2009年
- 提出一种以单片机P89LPC932为核心的夫兰克-赫兹实验仪设计方案,采用12位A/D转换器件TLC2543进行数模转换,由运放OPA128组成的放大电路放大电流Ip,采用数字电位器MAX5481和DS1844产生变化的UG1K、UG2K、UG2P、UF电压,还配有64 K字节E2PROM和伪USB接口。该仪器具有手工操作、自动操作以及和计算机联机操作等功能。
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- 关键词：P89LPC932
- 自旋极化电子束及其应用
- 自旋极化电子束的获得，为自旋极化电子与原子碰撞符合实验研究奠定了基础，通过符合实验，已经能够获得电子原子碰撞的更多的信息以及能够基础的探测到碰撞过程中的自旋相关效应，并为分子结构及固体表面的研究提供了一种新的研究手段。
- 刘义保邓玲娜陆俊发饶黄云饶瑞昌
- 关键词：自旋极化电子原子碰撞分子结构
- 文献传递
- 多道时间谱仪测量光速
- 2005年
- 介绍了多道时间谱仪的时间幅度变换原理,描述了谱仪的调试和主要指标的测定,并应用多道时间谱仪测量了光速.
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- 关键词：光速测量
- MAX5481在夫兰克-赫兹实验仪中的应用被引量：1
- 2008年
- 提出了一种基于数字电位器MAX5481的夫兰克-赫兹实验仪设计方案;介绍了数字电位器MAX5481的接口、控制方式及应用方案。该方案为数字电位器在模拟电路中替代机械电位器提供了借鉴。
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- 关键词：电位器模拟电路数字电位器
- Grüneisen系数的统计物理学定义
- 2008年
- 将广义力对系统做功引起的能量(不含冷能)的相对变化ES/ES与广义坐标的相对变化y/y之比定义为微观Grüneisen系数γS,导出了计算Grüneisen系数统计平均值的微分方程.由该方程计算了人们熟悉的热力学系统的Grüneisen系数,结果与其他方法得到的结论完全一致.
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- 电子与钠原子散射的S,T,U参数研究被引量：1
- 2007年
- 电子原子散射中的S,T,U参数可用来描述散射前后自旋状态的变化,研究精细结构水平上的散射激发振幅之间的关系,进而揭示电子原子碰撞过程中电子自旋-轨道耦合以及电子-电子交换等自旋相关效应.采用扭曲波玻恩近似计算了钠原子受电子散射S→P跃迁中的S,T,U参数,分析了多种入射能(2.2—60eV)的电子与钠原子激发S→P跃迁过程的S,T,U参数随散射角的分布,其中对10eV入射能的Sp参数与已报道实验数据符合一致.结果表明,较低能电子入射下的S,T,U参数随散射角的分布幅度和起伏都比较明显,入射能大于40eV的电子入射,S,T,U参数的散射角分布变化很小.
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- 关键词：散射振幅
