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蔡源源

作品数:5 被引量:6H指数:1
供职机构:华南理工大学更多>>
发文基金:广东省科技厅科技计划项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇压敏
  • 2篇电力电子线路
  • 2篇电压梯度
  • 2篇电子线路
  • 2篇氧化锡
  • 2篇主成分
  • 2篇料浆
  • 1篇电性能
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电阻
  • 1篇压敏电压
  • 1篇压敏电阻
  • 1篇压敏陶瓷
  • 1篇杂质对
  • 1篇陶瓷
  • 1篇背散射
  • 1篇FE
  • 1篇掺杂
  • 1篇掺杂量

机构

  • 5篇华南理工大学

作者

  • 5篇蔡源源
  • 4篇卢振亚
  • 2篇黄欢
  • 1篇陈志武
  • 1篇吴建青

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Fe元素杂质对压敏电阻性能的影响
本文研究了Fe元素的引入对ZnO压敏电阻器性能的影响。随着铁杂质含量的增加,压敏电阻的冲击残压提高,耐脉冲冲击能力急剧下降。XRD图谱表明Fe元素部分进入了尖晶石相,在晶粒交界处形成了Zn7Sb2O12-ZnFe2O4固...
卢振亚蔡源源杨凤金
Fe的引入对氧化锌变阻器性能的影响被引量:6
2007年
研究了Fe元素杂质的引入对ZnO压敏电阻器性能的影响。随着铁杂质含量的增加,压敏电阻的冲击残压提高,耐脉冲冲击能力急剧下降。XRD图谱表明Fe元素部分进入了尖晶石相,在晶粒交界处形成了Zn_7Sb_2O_(12)-ZnFe_2O_4固溶体,并且有部分Fe元素进入了ZnO晶粒内部,使ZnO晶粒的晶格常数减小。铁离子替代锌离子并形成半数的锌晶格空位。3价铁离子在瓷体烧结降温阶段与部分施主掺杂或填隙锌离子形成的导电电子复合使氧化锌晶粒电阻率提高,导致材料大电流区非线性降低,压敏元件承受脉冲冲击时的残压提高。
卢振亚蔡源源陈志武吴建青
关键词:电性能
一种氧化锡压敏电阻材料及其制备方法
本发明公开了氧化锡压敏电阻材料及其制备方法。该材料以SnO<Sub>2</Sub>为主成份;Sb<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>中至少一种作为第一...
卢振亚黄欢蔡源源
文献传递
SnO<,2>-Co<,2>O<,3>-Bi<,2>O<,3>-Sb<,2>O<,3>系压敏电阻的电学性质
SnO<,2>压敏电阻材料由于具有优良的电压非线性特性和较高的压敏电压而备受关注。由于SnO<,2>材料很难烧成致密的陶瓷,许多早期的研究者都采用等静压成型与高温烧结等工艺办法来提高SnO<,2>陶瓷的致密度,但随着人们...
蔡源源
关键词:掺杂量压敏电压压敏陶瓷背散射
文献传递
一种氧化锡压敏电阻材料及其制备方法
本发明公开了氧化锡压敏电阻材料及其制备方法。该材料以SnO<Sub>2</Sub>为主成份;Sb<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>中至少一种作为第一...
卢振亚黄欢蔡源源
文献传递
共1页<1>
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