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董兴才
作品数:
8
被引量:21
H指数:2
供职机构:
哈尔滨师范大学物理与电子工程学院物理系
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相关领域:
理学
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合作作者
荣剑英
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
赵洪安
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
赵秀平
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
李将录
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
段福莲
哈尔滨师范大学物理与电子工程学...
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传媒
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哈尔滨师范大...
3篇
人工晶体学报
年份
2篇
1997
2篇
1993
1篇
1992
2篇
1990
1篇
1989
共
8
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晶体点缺陷的定向跳跃率和跳离跳跃率
1990年
本文区分了晶体点缺陷的定向跳跃率与跳离跳跃率这两个概念,并且由此讨论了点缺陷的运动与复合以及晶体中原子扩散的微观机构,所得理论估算值更接近了实验值。
荣剑英
董兴才
关键词:
晶体
点缺陷
配位数
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备,特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理,从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀,提高了晶体结合能,使晶体点阵常数比无磁场时变小,能带结构发生变化,材料优值和...
赵秀平
李将录
荣剑英
赵洪安
董兴才
夏德勇
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备,特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理,从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀,提高了晶体结合能,使晶体点阵常数比无磁场时变小,能带结构发生变化,材料优值和...
赵秀平
李将录
荣剑英
赵洪安
董兴才
夏德勇
文献传递
小型微波谐振腔型加热器的研制和应用
1989年
本文报导了频率为2450MH_z的谐振腔型加热器。在尺寸与结构上实现了小型化,便于携带。腔内能量分布由于采用了平面螺旋天线及介质加载,使其均匀性得到了很大改善。
董兴才
关成祥
关键词:
加热器
微波
天线
赝三元半导体致冷材料的研究
被引量:1
1993年
研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10^(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。
赵秀平
李将禄
荣剑英
董兴才
赵洪安
关键词:
半导体
制冷材料
大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制
被引量:10
1997年
大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平(哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨150080)PreparationofPtypeLargeSizePseudoternaryThermoelectricOrientedC...
荣剑英
段福莲
赵洪安
吕长荣
董兴才
李将录
赵秀平
关键词:
P型半导体
垂直区熔法
晶体
大尺寸(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)晶体的生长及性能
被引量:1
1997年
大尺寸(Bi2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05晶体的生长及性能荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平(哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨150080)GrowthandPropertiesofLargeSize(Bi2T...
荣剑英
赵洪安
吕长荣
段福莲
李将录
董兴才
赵秀平
关键词:
N型半导体
垂直区熔法
晶体生长
p 型赝三元温差电材料的研制
被引量:13
1993年
通过研究组分、掺杂和晶体生长条件对材料温差电性能的影响,采用熔炼—区熔法研制出较均匀的高性能赝三元 p 型温差电材料 Te:(Sb_2Te_3)_0.75(1-x)(Bi_2Te_3)_(0.25(1-x))(Sb_2Se_3)(?)生长出的晶锭的85%的部分,温差电优值 z=2.9~3.3×10^(-3)/K。其性能高于目前国内的赝二元材料,达到了国外的较高水平,用这种材料制作的温差电致冷器件获得了很好的致冷效果。
荣剑英
赵秀平
李将录
董兴才
赵洪安
关键词:
固溶体
铋
碲
锑
硒
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