苏元军
- 作品数：7 被引量：14H指数：2
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- 多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法
- 一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法，属于半导体材料技术领域。这种沉积装置及其方法通过样品准备、样品制备前处理、沉积、后处理、样品取出等步骤能够生成主晶向为(111)、晶粒直径为数十纳米、多晶硅部分比例超过80%的...
- 苏元军孙琦高桥英治董闯徐军范鹏辉
- 文献传递
- 等离子体源辅助磁控溅射法低温(<200℃)制备多晶硅薄膜
- 多晶硅薄膜在薄膜晶体管和太阳电池领域比传统的非晶硅薄膜有着更加优越和稳定的性能。目前多晶硅薄膜的沉积技术主要以化学气相沉积为主,而用更加安全和成本较低的普通磁控溅射技术通常很难沉积出多晶态的硅薄膜。通过辅助等离子体源可以...
- 朱明苏元军范鹏辉徐军
- 文献传递
- 多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法
- 一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法，属于半导体材料技术领域。这种沉积装置及其方法通过样品准备、样品制备前处理、沉积、后处理、样品取出等步骤能够生成主晶向为(111)、晶粒直径为数十纳米、多晶硅部分比例超过80%的...
- 苏元军孙琦高桥英治董闯徐军范鹏辉
- 非晶硅薄膜激光晶化及其结构分析被引量：9
- 2007年
- 以射频(频率为13.6MHz)磁控溅射系统制备的非晶硅薄膜为前驱物,采用激光晶化技术实现从非晶硅薄膜到纳米晶硅薄膜的相变过程。采用拉曼光谱仪和高分辨透射电镜对激光晶化薄膜的组织结构进行了研究。结果表明:薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构,微晶硅晶粒尺寸在纳米级。激光晶化存在一个最佳工艺参数,功率太高或太低都不利于晶化。
- 庞宏杰王存山张凯舒苏元军裴继斌
- 关键词：非晶硅激光晶化
- 等离子体源辅助磁控溅射法低温(200℃)制备多晶硅薄膜被引量：1
- 2012年
- 利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在200℃成功制备出多晶硅薄膜。详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程,并对辅助等离子体源放电功率对硅薄膜结晶度的影响进行了研究。利用拉曼散射、X射线衍射、傅里叶红外光谱对所制备的硅薄膜进行了表征。
- 朱明苏元军范鹏辉徐军
- 关键词：多晶硅薄膜电感耦合等离子体磁控溅射拉曼散射红外光谱
- 利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积被引量：3
- 2012年
- 本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300℃以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法.利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅薄膜进行了表征.详细研究了氢气在沉积过程中所起的作用,并结合Langmuir探针和发射光谱等等离子体诊断方法,对辅助等离子体源在多晶硅薄膜制备过程中所起到的作用进行了讨论.
- 苏元军徐军朱明范鹏辉董闯
- 关键词：多晶硅薄膜电感耦合等离子体磁控溅射拉曼散射
- ICP辅助磁控溅射制备多晶硅薄膜
- 随着平板显示技术的发展和人类对太阳能利用的重视,多晶硅薄膜的研究受到越来越多的关注。与传统的非晶硅薄膜相比,多晶硅薄膜有着更高的电子迁移率和更好的光电稳定性,作为平板显示器中薄膜晶体管的沟道层和硅基薄膜太阳电池的吸收层使...
- 苏元军
- 关键词：多晶硅薄膜磁控溅射电感耦合等离子体
- 文献传递
