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肖兵

作品数：31 被引量：67H指数：5
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇理学
  • 8篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 12篇晶体
  • 11篇碳化硅
  • 8篇晶体生长
  • 7篇单晶
  • 7篇半导体
  • 6篇激光
  • 5篇掺杂
  • 4篇碳化硅单晶
  • 4篇硅单晶
  • 4篇SIC
  • 3篇电池
  • 3篇真空系统
  • 3篇太阳电池
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇污染
  • 3篇污染物
  • 3篇纳米
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光导
  • 3篇光导开关

机构

  • 31篇中国科学院
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 31篇肖兵
  • 21篇施尔畏
  • 19篇陈之战
  • 10篇严成锋
  • 8篇徐良瑛
  • 7篇束碧云
  • 4篇庄击勇
  • 4篇李祥彪
  • 3篇钟伯强
  • 3篇刘学超
  • 3篇张华伟
  • 3篇陈博源
  • 2篇宋力昕
  • 2篇张秀荣
  • 2篇施亚玲
  • 1篇张涛
  • 1篇孙真荣
  • 1篇李汶军
  • 1篇张勇
  • 1篇王世忠

传媒

  • 9篇无机材料学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇上海硅酸盐
  • 1篇全国第8次光...
  • 1篇第九届全国凝...

年份

  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1990
  • 3篇1989
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超快大功率SiC光导开关的研究被引量：16
2008年
选用钒掺杂浓度为0．2at％的高质量6H-SiC晶体，电阻率为7．0×10^8Ω·cm，研制出超快大功率SiC光导开关．在脉冲宽度为20ns的光源激发下，分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性．结果表明：1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越，耐偏压高，光导电脉冲的上升时间快（6．8ns），脉宽〈20ns，稳定性好．负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大，在2．5kV的偏置电压下，最大瞬时电流约为57．5A，瞬时功率高达132kW．
严成锋施尔畏陈之战李祥彪肖兵
关键词：碳化硅半绝缘光导开关
晶体生长炉
本实用新型涉及一种晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。本实用新型采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室连接真空系统和进气系统。本实用新型的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接...
陈之战施尔畏严成锋肖兵
文献传递
一种气相晶体生长压力自动控制系统
本发明涉及一种气相晶体生长压力自动控制系统，属于压力控制设备与系统领域。本发明包括真空室1、进气气源2、质量流量计3、真空泵4、压力控制仪表5、自动针阀调节器6、绝对压力传感器7。进气气源2由质量流量计3控制，通过管道与...
陈之战施尔畏肖兵
文献传递
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。制备方法包括如下步骤：把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上，加热使富碳聚合物热固化；在惰性气氛中加热，使富碳聚合物热解碳化；采用籽晶引导气相输运技术...
严成锋陈之战施尔畏肖兵陈义
4H-、6H-及15R-晶型SiC晶体光学特性研究
李祥彪施尔畏陈之战张勇肖兵
文献传递
SiC单晶生长研究进展被引量：3
2002年
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注。本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响。对今后的研究方向提出了看法。
陈之战施尔畏肖兵庄击勇
关键词：SIC单晶生长碳化硅半导体材料
原料对碳化硅单晶生长的影响被引量：6
2003年
研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响。实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值。晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C=1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实。
陈之战施尔畏肖兵庄击勇
关键词：碳化硅单晶相转变针孔
SiC单晶的性质、生长及应用被引量：20
1999年
本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ
王世忠徐良瑛束碧云肖兵庄击勇施尔畏
关键词：碳化硅单晶半导体器件晶体生长
ZnO基稀磁半导体纳米材料制备及性能研究
陈之战施尔畏李汶军肖兵李祥彪张涛张华伟刘学超
该项目是上海市科委纳米专项，通过控制磁性离子的掺杂实现了ZnO从无磁性的半导体材料转变为具有铁磁性半导体材料（DMS）。在原子、分子或纳米尺度上，实现对无缺陷ZnO基DMS材料（量子点、纳米线（棒）纳米带）的尺寸、形状、...
关键词：
关键词：纳米材料稀磁半导体氧化锌
非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法
用激光－化学腐蚀刻蚀ａ－ｓｉ太阳电池背电极，涉及半导体及光电器件。本发明是在背金属电极上涂敷一层极薄的防腐层，用激光按所需背金属电极的图案刻蚀防腐层，然后再用化学腐蚀来除去背电极，从而达到无掩模刻蚀背金属电极的目的。防腐...
钟伯强施亚玲肖兵张秀荣
文献传递
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