2025年4月2日
星期三
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
章健
作品数:
2
被引量:0
H指数:0
供职机构:
复旦大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
更多>>
相关领域:
理学
更多>>
合作作者
吴长勤
复旦大学
孙鑫
复旦大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
2篇
理学
主题
2篇
光吸收
2篇
分子
2篇
高分子
1篇
有机高分子
1篇
涨落
1篇
态密度
1篇
谱函数
1篇
简并
1篇
格林函数
1篇
函数
1篇
非简并
1篇
分子体系
1篇
高分子体系
机构
2篇
复旦大学
作者
2篇
章健
1篇
孙鑫
1篇
吴长勤
传媒
1篇
物理学报
年份
1篇
2000
1篇
1999
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
低维高分子体系中量子晶格涨落的研究
研究人员采用不同的方法研究了低维高分子体系中的量子晶格涨落及其引起新的物理现象,首先,采用唯象的方法,通过一个简单孤子-反孤子对模型来模拟一维有机高分子中的量子晶格涨落,高分子中电子能隙内的光吸收是由孤子-反孤子对激发的...
章健
关键词:
光吸收
格林函数
谱函数
态密度
文献传递
基态简并和非简并高分子的光吸收和量子晶格涨落
1999年
通过一个简单的孤子反孤子对模型来模拟一维有机高分子中的量子晶格涨落,高分子中电子能隙内的光吸收是由孤子反孤子对激发的两个分别来源于导带的最低未占据和价带的最高占据离散能级之间的跃迁所产生的.这样的光吸收没有能隙.结果明显表明,基态非简并将抑制量子晶格涨落,从而减少电子能隙内的光吸收,使得基态非简并高分子的光吸收有一相对明显的吸收边。
章健
吴长勤
孙鑫
关键词:
有机高分子
光吸收
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张