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祝昌军

作品数:7 被引量:31H指数:3
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
相关领域:化学工程金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇陶瓷
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化硅
  • 4篇氮化硅陶瓷
  • 2篇断裂韧性
  • 2篇韧性
  • 2篇气压烧结
  • 2篇热压
  • 2篇热压烧结
  • 2篇晶界
  • 2篇晶界相
  • 2篇高温性能
  • 1篇维数
  • 1篇析晶
  • 1篇结构陶瓷
  • 1篇分相
  • 1篇复相
  • 1篇复相陶瓷
  • 1篇高温
  • 1篇高温结构陶瓷

机构

  • 7篇武汉理工大学

作者

  • 7篇祝昌军
  • 5篇杨海涛
  • 5篇高玲
  • 5篇蒋俊

传媒

  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇江苏陶瓷
  • 1篇硅铝化合物

年份

  • 1篇2003
  • 4篇2002
  • 2篇2001
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
氮化硅陶瓷磨削表面残余应力的测试与计算被引量:17
2002年
利用X射线衍射应力分析的sin2 ψ法测量、计算出氮化硅陶瓷试样的残余应力。分析表明 ,经平面磨磨削后的气压烧结氮化硅陶瓷试样表面存在的残余应力为拉应力 ,而再经过表面抛光处理 ,则可以适当地降低表面残余应力。
祝昌军高玲杨海涛金景烈蒋俊
关键词:残余应力气压烧结氮化硅
氮化硅陶瓷中的分形生长被引量:2
2001年
利用透射电子显微镜 (TEM)在纳米尺度上直接观察由氮化硅分解出的硅蒸气在蒸发 凝聚过程中产生的分形生长这一实验现象 ,结合相对应的有限扩散凝聚 (DLA)模型以及核晶凝聚 (NA)模型 ,对所获得的分形结构进行了描述和讨论 ,并探讨了分形生长的发生机理。同时 ,由实验中所拍摄的一组照片计算其分形维数 ,分别为Dm1≈ 1.0 9,Dm2 ≈ 1.5 2 ,Dm3 ≈ 1.78,其中Dm3 ≈ 1.
蒋俊祝昌军高玲杨海涛
关键词:氮化硅陶瓷维数
氮化硅陶瓷的制备及进展
2003年
本文着重介绍了氮化硅陶瓷的制备工艺,提高氮化硅陶瓷高温性能的方法以及改善其断裂韧性的途径,并展望了氮化硅陶瓷的研究前景。
祝昌军蒋俊高玲杨海涛
关键词:氮化硅陶瓷高温性能断裂韧性
Si/_3N/_4-MgO-CeO/_2陶瓷晶界相研究
本文采用放电等离子体烧结法/(SPS/)制备了以5wt%MgO+5wt%CeO/_2为助烧剂的氮化硅陶瓷,并用热压/(HP/)烧结法烧结了SiO/_2-MgO-CeO/_2三相系统,通过XRD、SEM等方法对上述的烧结过...
祝昌军
关键词:晶界相析晶分相热压烧结
文献传递
氮化硅陶瓷的制备及进展被引量:7
2001年
本文着重介绍了氮化硅陶瓷的制备工艺,提高氮化硅陶瓷高温性能的方法以及改善其断裂韧性的途径,并展望了氮化硅陶瓷的研究前景。
祝昌军蒋俊高玲杨海涛
关键词:氮化硅陶瓷高温性能断裂韧性
Al_2O_3-TiC复相陶瓷的研究进展被引量:3
2002年
本文阐述了Al2O3-TiC复相陶瓷的制备工艺与应用前景。同时,采用气压烧结(GPS)与热等静压(HIP)后处理工艺制备了具有优良力学性能的Al2O3-TiC陶瓷材料。
蒋俊祝昌军高玲杨海涛
关键词:气压烧结
Si_3MgO_CeO_2陶瓷晶界相研究
祝昌军
关键词:氮化硅晶界相热压烧结高温结构陶瓷
共1页<1>
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