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申兰先: 作品数：35 被引量：66H指数：4; 供职机构：云南师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划云南省自然科学基金更多>>; 相关领域：理学电气工程电子电信动力工程及工程热物理更多>>

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一种叠层太阳电池的制作方法: 本发明公开了一种叠层太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂锑化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在锑化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：首先在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，然后在生长的GaSb...; 郝瑞亭杨培志申兰先邓书康涂洁磊廖华

一种半导体太阳电池的制作方法: 本发明公开了一种半导体太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在砷化镓衬底上生长子电池吸收层。具体过程包括：在580℃下，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，生长p<...; 郝瑞亭申兰先杨培志邓书康涂洁磊廖华

Gd_2O_3:Yb^(3+),Nd^(3+),Tm^(3+)/SiO_2/Ag纳米复合材料的合成及上转换发光性质被引量：1: 2018年; 通过多步骤的化学法合成了Gd_2O_3:Yb^(3+),Nd^(3+),Tm^(3+)/SiO_2/Ag纳米复合材料。利用XRD,TEM,EDS,XPS,CLSM等方法对样品进行表征。实验结果表明,具有低声子能、稳定的化学性质的Gd2O3作为上转换发光的基质,当掺杂的敏化剂Nd3+离子浓度为1.0%(n/n),激活剂离子Tm3+浓度为0.5%(n/n)时,上转换发光强度达到最大值。此外,表面吸附的Ag纳米颗粒,由于表面等离激元共振耦合作用,使得上转换发光蓝光波段的强度增强1.70倍。; 葛文杨培志申兰先邓书康; 关键词：复合纳米材料等离激元

基于第一性原理的Ⅷ型Ba_(8)Ga_(16-x)Al_(x)Sn_(30)(x=0,6,16)笼合物结构稳定性及电子结构性质被引量：4: 2021年; 基于密度泛函的第一性原理从理论上探索Ba_(8)Ga_(16-x)Al_(x)Sn_(30)(x=0,6,16)笼合物的电子能带结构和结构稳定性。结果表明,Al置换Ga后笼合物的晶格常数增加,当Al部分置换Ga时笼合物结构稳定性增强;Ba_(8)Ga_(10)Al_(6)Sn_(30)笼合物由于费米能级附近能带较密集会表现出较好的电传输特性;在费米能级附近,Ba_(8)Al_(16)Sn_(30)具有较高的态密度,且态密度线更陡峭,这有利于提高材料的Seebeck系数,然而也可能引起材料结构的稳定性下降。这些结果为进一步研究Ba8Ga16Sn30笼合物提供较好的理论指导。; 申兰先李德聪申开远郑杰刘祖明葛文邓书康; 关键词：第一性原理热电材料电子结构

一种砷化镓/锑化镓太阳电池的制作方法: 本发明公开了一种砷化镓/锑化镓太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在砷化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：A)580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；...; 郝瑞亭杨培志申兰先邓书康涂洁磊廖华

MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜被引量：3: 2010年; 利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(HallEffect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好。; 郝瑞亭申兰先邓书康杨培志涂洁磊廖华徐应强牛智川; 关键词：GASB GAAS

工业化薄晶体硅太阳电池背电极浆料被引量：4: 2008年; 对薄晶体硅太阳电池的生产工艺和材料进行了试验。通过调整背电极浆料和电池基片厚度,探索了减少太阳电池弯曲度的途径。试验显示,使用薄片铝浆对电池弯曲度的影响有明显改善,弯曲度可降低52%,电池片弯曲度最小为0.55 mm。; 申兰先刘祖明廖华李景天涂洁磊; 关键词：太阳电池背电极浆料

退火对Ge诱导晶化多晶Si薄膜结晶特性的影响: 2012年; 本文采用磁控溅射法,衬底温度500℃下在硅衬底上分别制备具有Ge填埋层的a-Si/Ge薄膜和a-Si薄膜,并进行后续退火,采用Raman光谱、X射线衍射、原子力显微镜及场发射扫描电镜等对所制薄膜样品进行结构表征.结果表明,Ge有诱导非晶硅晶化的作用,并得出以下重要结论:衬底温度为500℃时生长的a-Si/Ge薄膜,经600℃退火5 h Ge诱导非晶硅薄膜的晶化率为44%,在相同的退火时间下退火温度提高到700℃,晶化率达54%.相同条件下,无Ge填埋层的a-Si薄膜经800℃退火5 h薄膜实现晶化,晶化率为46%.通过Ge填埋层诱导晶化可使在相同的条件下生长的非晶硅晶薄膜的晶化温度降低约200℃.Ge诱导晶化多晶Si薄膜在Si(200)方向具有高度择优取向,且在此方向对应的晶粒尺寸约为76 nm.通过Ge诱导晶化制备多晶Si薄膜有望成为制备高质量多晶Si薄膜的一条有效途径.; 康昆勇邓书康申兰先孙启利郝瑞亭化麒麟唐润生杨培志李明; 关键词：多晶硅薄膜非晶硅

一种叠层太阳电池的制作方法: 本发明公开了一种叠层太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂锑化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在锑化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：首先在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，然后在生长的GaSb...; 郝瑞亭杨培志申兰先邓书康涂洁磊廖华; 文献传递

硅太阳电池电极系统的分析与制备被引量：1: 2006年; 文章分析了硅太阳电池电极设计必须考虑到电池的表面状态,表面扩散层的掺杂浓度,金属—半导体接触以及遮光损失等的影响,因而是一个电极系统的设计和制备问题。给出了栅状电极的设计实例,并用于太阳电池的制作获得较满意的输出特性。; 申兰先陈庭金刘祖明张鹤仙夏朝凤; 关键词：硅太阳电池金属-半导体接触丝网印刷