汪昌州
- 作品数：23 被引量：34H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
- 发文基金：河南省科技攻关计划国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 半导体材料制备设备
- 本发明公开了一种半导体材料制备设备。它包括具有密封炉门的炉体、感应线圈、感应器、感应电源、上压头、下压头、热电偶、液压系统；上压头、下压头具有位移速度可调功能；感应器为石墨或不锈钢，具备热压磨具和坩埚的功能；感应线圈位于...
- 陈海燕王春林鲁林峰汪昌州陈小源
- 文献传递
- 一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用
- 本发明涉及一种用于多级存储相变存储器的Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>/Ga<Sub>30</Sub>Sb<Sub>70</Sub>纳米多层复合相变薄膜。本发明的Ge<...
- 沈波孙明成翟继卫汪昌州
- 文献传递
- 高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低。
- 杨根张丽伟卢景霄谷锦华陈永生文书堂汪昌州王子健
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微观结构
- 一种GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>纳米复合多层相变薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>纳米复合多层相变薄膜，所述GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>纳米复合多层相变薄膜中GeTe薄膜和Sb<Sub...
- 翟继卫汪昌州尚飞
- 文献传递
- 一种Si/Sb<Sub>80</Sub>Te<Sub>20</Sub>纳米复合多层相变薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种Si/Sb<Sub>80</Sub>Te<Sub>20</Sub>纳米复合多层相变薄膜及其制备方法，该相变薄膜为Si薄膜和Sb<Sub>80</Sub>Te<Sub>20</Sub>薄膜在纳米量级交替排列复...
- 翟继卫汪昌州
- 文献传递
- 掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究
- 2007年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜。另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响。
- 汪昌州杨仕娥赵尚丽文书堂卢景霄
- 一种结晶温度可调的SiO<Sub>2</Sub>/Sb<Sub>80</Sub>Te<Sub>20</Sub>纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法
- 本发明属于微电子材料领域，涉及一种结晶温度可调的SiO<Sub>2</Sub>/Sb<Sub>80</Sub>Te<Sub>20</Sub>纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法。所述薄膜材料中单层SiO<Sub>2</S...
- 翟继卫汪昌州沈波
- 文献传递
- p型μc-Si：H薄膜微结构和光电性能的研究
- 微晶硅薄膜电池兼具有晶体硅电池和薄膜电池的优点,被视为硅基薄膜太阳电池的下一代技术.在pin型微晶硅(μc-Si)薄膜太阳电池中,p层作为电池的窗口层,对电池性能有着重要影响.p型氢化微晶硅(μc.Si:H)薄膜要求具有...
- 汪昌州
- 关键词：太阳电池微结构光电性能
- 文献传递
- 用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料
- 本发明属于微电子材料技术领域，涉及一种用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料。本发明GeTe/Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>纳米复合多层相变薄膜材料中单层GeTe薄...
- 翟继卫汪昌州沈波孙明成
- 文献传递
- Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法
- 本发明提供一种Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法，所述Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜包括Si薄膜及GeTe薄膜，所述Si薄膜与所述GeTe薄膜交替排列形成多层薄膜结构。通过磁控交替溅射方法将相...
- 汪昌州刘东方张伟杨康
- 文献传递
