林桂江
- 作品数：11 被引量：19H指数：3
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省农科院青年科技人才创新基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：6
- 2008年
- 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
- 周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明
- 关键词：锗
- Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁及其在中远红外光发射/探测器中的应用研究
- Si微电子技术已取得巨大成功，然而由于体材料Si的间接带隙特性，发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低五个量级，如何在硅基材料系实现高效率发光，已成为发展硅基光电子学的一个重要课题，突破Si间接带隙限制的一条有希望的...
- 林桂江
- 关键词：远红外探测器带隙特性硅基材料带间跃迁
- 低温Ge作缓冲层的高组份SiGe弛豫衬底生长研究
- ＜正＞Si 基 SiGe 合金和纯 Ge 材料具有良好的光电热性能,并且与 Si 工艺兼容,在微电子和光电子器件方面得到了广泛应用,如异质结双结型晶体管,应变 Si、SiGe 和 Ge 高迁移率 MOS 管,近红外1.3...
- 周志文蔡志猛张永周笔林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 文献传递
- 倒装双结太阳能电池的隧穿结优化
- 利用MOCVD设备进行倒装双结Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物太阳能电池隧穿结的外延优化.XRD、SEM对样品结构分析,结果表明晶格质量较高,晶格匹配度良好;通过芯片工艺后,获得所需要的太阳能电池片,I-V电学测试结果表明,隧穿结带...
- 蔡文必毕京锋林桂江刘冠洲刘建庆宋明辉丁杰
- 关键词：光电性能
- 文献传递
- 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计被引量：5
- 2006年
- 使用nextnano^3模拟软件计算Si／Si1-xGex／Si量子阱的能带结构，对Si／SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计，结果表明使用Ge组分为0．27～0．3，量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构，有利于优化THz Si／SiGe量子级联激光器结构。
- 林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 关键词：SI/SIGE量子级联激光器
- THz Si/SiGe量子级联激光器波导模拟
- ＜正＞Si/SiGe 量子级联激光器是利用空穴在价带子带间的带内跃迁,克服硅、锗及其合金材料的间接带隙的缺点,实现硅发光。在太赫兹波段,如果采用传统的递变折射率波导,要求波导厚度不小于激光在介质中波长的一半,由于硅锗有较...
- 陈锐林桂江邓和清陈松岩
- 关键词：SI/SIGE太赫兹量子级联激光器波导
- 文献传递
- Si/SiGe量子级联激光器研究进展被引量：1
- 2006年
- Si/SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源,突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制.Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响.文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展.
- 韩根全林桂江余金中
- 关键词：超晶格太赫兹
- 聚光型太阳电池表面栅电极的优化设计被引量：3
- 2009年
- 对聚光型太阳电池表面栅极图形进行优化设计。对组成太阳电池表面栅电极的图形最小单元的各种功率损失进行了详细分析,得到了最佳栅电极间距的递推公式。优化计算了各种宽度的次栅之间的间距,并得到了相对应的功率损失比例。电极和半导体接触良好时,当次栅间距小于最佳值,电极的遮挡对于功率损失影响最大;而当次栅间距大于最佳值时,太阳电池体材料输运功率损失和次栅电极电流输运功率损失开始成为主要原因。对于高倍聚光型太阳电池来说,次栅电极的厚度相对要求厚一些。计算及分析结果可应用于聚光型太阳电池电极的设计中。
- 黄生荣林桂江吴志强黄美纯
- 关键词：功率损失栅电极优化设计
- P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计
- 2008年
- 提出p型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k.p方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此p型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与p型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计.
- 邓和清林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 关键词：红外探测器
- Si/SiGe量子级联激光器的能带设计被引量：5
- 2007年
- 详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6k.p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGex/Si量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.
- 林桂江周志文赖虹凯李成陈松岩余金中
- 关键词：量子级联激光器
