杨鸿斌
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
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- Si覆盖层对自组织生长Ge/Si量子点组分、应变的影响
- 本工作研究初始覆盖 Si 层的厚度和温度对自组织 Ge(Si)/Si(001)量子点形状、大小及其组分和应变的影响.量子点在400℃下覆盖 Si 层后,形貌均没有变化;在640℃下覆盖 Si 层后,形貌发生变化:覆盖3....
- 林健晖杨鸿斌秦娟章斌樊永良杨新菊蒋最敏
- 关键词：覆盖层拉曼光谱
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- Si覆盖层对自组织生长Ge/Si量子点组分、应变的影响
- 本工作研究初始覆盖 Si 层的厚度和温度对自组织 Ge（Si）/Si（001）量子点形状、大小及其组分和应变的影响。量子点在400℃下覆盖 Si 层后,形貌均没有变化;（图1）在640℃下覆盖 Si 层后, 形貌发生变化...
- 林健晖杨鸿斌秦娟章斌樊永良杨新菊蒋最敏
- 关键词：量子点GE/SI
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- 微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应
- 2007年
- 报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性.实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si材料的应变与窗口尺寸有关,也和窗口的掩膜中的内应力有关.实验还表明,边缘效应对于微区中共度生长的SiGe/Si材料的热稳定性也有显著的影响.在3μm×3μm窗口中共度生长的Si0.8Ge0.2/Si异质结构材料,在950℃高温退火30min后,它的应变弛豫不大于4%.远小于同一衬底上非微区生长材料的应变弛豫.文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨.
- 杨鸿斌樊永良张翔九
- 关键词：SIGE位错分子束外延
- Si间隔层对低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层位错传播的影响
- 本文结合低温生长Si缓冲层与Si间隔层方法.利用化学腐蚀,观察不同外延层厚度处位错的形貌.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成,传播及其对应变弛豫的影响.研究表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中...
- 杨鸿斌樊永良
- 关键词：SIGE应变弛豫位错外延层生长
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- 微区中分子束外延生长SiGe//Si异质结构研究
- 本论文中我们研究微区中外延生长SiGe//Si异质结构,由于外延层和掩膜窗口的边缘效应所引起的应变的变化,并讨论此应变的变化对于材料物理性质的影响。此外,在上述研究工作的基础上,我们提出了一种生长高品质应变Si的新方法。...
- 杨鸿斌
- 关键词：分子束外延位错
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- Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响
- 2006年
- 利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变弛豫的影响.结果表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的形成和传播,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.
- 杨鸿斌樊永良
- 关键词：SIGE应变弛豫位错
