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束林

作品数:5 被引量:16H指数:2
供职机构:安徽工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 3篇变换器
  • 2篇整流
  • 2篇损耗
  • 2篇同步整流
  • 2篇驱动电路
  • 2篇BUCK变换...
  • 2篇MOSFET
  • 1篇低压大电流
  • 1篇电流源
  • 1篇电路拓扑
  • 1篇原理及实现
  • 1篇整流技术
  • 1篇损耗分析
  • 1篇损耗模型
  • 1篇同步整流技术
  • 1篇拓扑
  • 1篇开关损耗
  • 1篇MOSFET...

机构

  • 5篇安徽工业大学

作者

  • 5篇束林
  • 5篇葛芦生
  • 3篇陈宗祥
  • 2篇王文娟
  • 2篇王仲娟
  • 2篇郝玲玲
  • 2篇刘雁飞
  • 2篇陈志杰
  • 1篇惠琪

传媒

  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电力自动化设...
  • 1篇中国电源学会...
  • 1篇2008中国...

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
UCC27222在同步整流技术中的应用
UCC27222是专为高频同步整流器设计的理想驱动芯片,显著特点是使用PGD控制技术减少同步整流MOSFET管中的二极管损耗和反向恢复损耗,其无需设计附件的外部电路和器件。本文采用UCC27222芯片完成同步整流的驱动,...
王文娟葛芦生王仲娟郝玲玲陈志杰束林
关键词:同步整流
文献传递
MOSFET电流源驱动原理及实现
在开关电源中,随着开关频率的提高,开关器件MOSFET的开关损耗也相应增加。目前大多数都是采用电压源的驱动方法,此驱动方法存在Miller效应、开关时间长、开关损耗大等一些缺点。本文对电流源驱动原理进行了分析,并以BUC...
王仲娟葛芦生王文娟郝玲玲陈志杰束林
关键词:MOSFET
文献传递
基于电流源驱动的MOSFET管损耗模型及分析被引量:7
2010年
对于以电压源方式驱动功率MOSFET管,随着开关频率的提高,其开关损耗将显著增加。以此为切入点对电流源驱动功率MOSFET管进行了研究。在对电流源驱动MOSFET管原理性分析的基础上,通过详细地分析功率MOSFET管的开关过程,建立MOSFET管开关损耗模型,求解得到漏极电流、漏源电压与栅源电压之间关系,证明了电流源驱动在减少开关时间和开关损耗上的优越性。在开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压和电流分别为1.3 V和25 A的低压大电流实验平台上进行了验证,实验结果证明了所提出的MOSFET管损耗模型的正确性。
陈宗祥束林刘雁飞葛芦生
关键词:MOSFET损耗分析BUCK变换器低压大电流
同步整流BUCK变换器新型驱动电路的研究
高频化和高功率密度已经成为开关电源的发展趋势,传统的电压源驱动MOSFET的方式,开关损耗会随着开关频率的增加而显著增加。本文提出将一种新型的电流源驱动方式应用于交错并联技术的BUCK主电路,在对电路的损耗进行详细分析的...
束林陈宗祥葛芦生惠琪
关键词:同步整流BUCK变换器驱动电路电路拓扑
文献传递
基于交错并联Buck变换器新型驱动电路的研究被引量:10
2010年
传统的电压源驱动MOSFET的方式,开关损耗会随着开关频率的增加而显著增加。交错并联技术能够以较低的开关频率实现高频输出电压波动,具有纹波互消、相间分流等优点。在此将一种新型的电流源驱动电路应用于交错并联技术的Buck主电路,在对电路损耗进行详细分析的基础上,设计了在开关频率1 MHz、输入5 V条件下,实现输出1.3 V/20A的电路拓扑,达到了较小电压纹波输出和较高装置效率的要求。
束林陈宗祥刘雁飞葛芦生
关键词:变换器驱动电路电流源开关损耗
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