李贤斌
- 作品数：11 被引量：5H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 超快激光诱导固体非热相变及其原子机理进展被引量：2
- 2021年
- 激光诱导的相变是超短脉冲激光对材料进行加工改性的关键物理过程。由热效应驱动的光致相变通常都源于材料无序化,例如熔化或蒸发。在此情况下,光对材料原子尺度的控制力面临困难,加工改性的精度受限。而短脉冲的非热效应可以实现更高精度的相变控制,但是由于光与物质的相互作用过程复杂,相关机理仍在探索之中。介绍了近年来超短脉冲激光诱导非热相变的实验观测结果以及相应的机理研究进展,重点对比介绍了几种可以描述原子尺度机制的理论方法和超快激光在相变材料中诱导非热相变的动力学机理。最后讨论了理论机理对激光控制相变的参考意义。
- 陈念科黄宇婷李贤斌孙洪波
- 关键词：超快光学光与物质相互作用物理机制第一性原理计算
- Ⅱ-Ⅳ族类石墨烯二维半导体稳定体系的第一性原理探索
- 郑慧李贤斌孙洪波
- 面向信息存储应用的非晶硅与非晶碲化锑界面特性的第一性原理研究
- 相变存储器是利用相变材料在电或激光脉冲条件作用下可发生晶态和非晶态之间的可逆相变制成的非易失性存储器[1].硅锑碲系列材料是我国拥有自主知识产权的相变材料,这种材料的性能最佳配比为SixSb2Te3,具有功耗低、稳定性好...
- 王雪鹏陈念科李贤斌张绳百孙洪波
- 长波红外窗口(8-12μm)可透性光学材料的第一性原理搜索
- 杜家仁李贤斌
- 信息存储合金Ge2Sb2Te5在电子激发诱导量子应力下的非热相变特性研究
- Ge2Sb2Te5合金是一种窄禁带半导体,主要应用于相变存储(Phase Change Memory),一种被认为是最具潜力的下一代非易失性存储技术.研究表明,Ge2Sb2Te5在低于其熔点时就可以由于电子激发效应而发生...
- 陈念科李贤斌刘峰张绳百孙洪波
- 铜纳米线拉伸断裂过程的原子尺度分子动力学模拟
- 2014年
- 基于经典力学势函数的分子动力学模拟方法研究铜纳米线的拉伸断裂过程,并分析断裂前应力、应变和位错行为的关系及断裂后的形貌演化.结果表明:纳米线两端的锥形结构可阻塞位错运动,从而提高其断裂强度;断裂后断口处尖锐的尖端结构形貌会发生自发的回缩和钝化,该过程是尖端上储存的弹性能和的高能结构(如孤立原子、孪晶界和表面弯折等)的自我修复,最终在表面上形成许多能量较低的(111)小平面所致;其物理机理是在温度激活下的能量最小化过程.
- 陈念科李贤斌
- 关键词：铜纳米线位错运动微观形貌
- 微电子专业“半导体材料”课程的教学改革被引量：2
- 2021年
- 为适应新形势下对微电子人才培养的要求,本文对“半导体材料”的课程内容、教学方法和考核方式进行了多方面的改革。此次改革的目的在于培养学生在主动学习、独立思考和解决问题等多方面的能力,从而探索出为微电子领域和半导体工业界培养高素质综合型人才的教学方案。
- 赵纪红李贤斌
- 关键词：半导体材料微电子
- 氧化锌中钙氢强束缚效应
- 本工作通过第一性原理(First-Principles)计算研究发现ZnO中等价替代Zn的中性Ca杂质与处于邻近氧原子的反键位(ABO)的H+有强束缚,束缚能达到0.7eV。我们把大的束缚效应归因于更低电负性的Ca把一部...
- 李贤斌Sukit Limpijumnong韩冬杨罕田维全S.B.Zhang孙洪波
- 关键词：红外吸收谱
- 文献传递
- 推进高校教学改革 加快高校教育的发展
- 2015年
- 随着近几年我国经济与社会的的高速发展,作为专业人才培养主要途径的高校已经获得了极大的发展。目前,高校已经为国家培养了大批具有高科技知识与素质的专业人才。但在现今的实际教学过程中,也经常出现了一些负面的问题,这些问题都严重地阻碍了我国高校的持续健康发展。例如目前普遍受关注的大学生工作业务水平低的问题。造成该问题固然有外部的原因,但也不可否认高校在学生培养过程中必然存在一定程度的问题。所以,
- 董鑫张宝林李贤斌
- 关键词：教学改革高科技知识教学评估体系教学过程课程设置
- 物理截断与电子局域函数结合法研究非晶态结构中的原子成键被引量：1
- 2016年
- 本文将常用的键长物理截断方法与电子局域函数方法相结合,用于分析共价系统的非晶态结构,得到了更合理的原子成键信息,提高了非晶态结构模型分析的可靠性.以相变存储材料GeTe合金为例,通过采用上述方法详细研究了GeTe合金非晶态中原子间成键及结构信息,确定了其合理的成键物理截断长度为3.05?,电子局域函数阈值为0.63.研究结果显示,当电子局域函数的数值由0.58逐渐增大至0.63时,结构中所截断的化学键大部分是强度较弱的非同质键(即Ge—Te键),而强度较强的Ge—Ge键的数量几乎不变.对Ge原子配位数和其键角分布等结构信息的分析表明,Ge原子以3配位和4配位为主,其中3配位的Ge原子主要是以缺陷八面体形式存在,而4配位的Ge原子则主要以四面体的形式存在.此外,在本研究工作中所建立的确定成键物理截断长度及电子局域函数阈值的方法也可以应用于其他具有共价键性质的非晶态材料研究.
- 王鑫洋陈念科王雪鹏张斌陈志红李贤斌刘显强
- 关键词：配位数
