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李艳平

作品数：33 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇激光
  • 8篇激光器
  • 6篇纳米
  • 6篇波导
  • 5篇芯片
  • 5篇光电
  • 5篇钙钛矿
  • 4篇单晶
  • 4篇电子器件
  • 4篇光电子
  • 4篇光电子器件
  • 4篇半导体
  • 3篇阵列
  • 3篇激光器阵列
  • 3篇键合
  • 3篇光芯片
  • 3篇硅
  • 3篇碲
  • 3篇波长
  • 2篇单晶薄膜

机构

  • 33篇北京大学

作者

  • 33篇李艳平
  • 19篇冉广照
  • 9篇秦国刚
  • 9篇徐万劲
  • 7篇陈娓兮
  • 4篇戴伦
  • 4篇洪涛
  • 4篇陶利
  • 4篇侯瑞祥
  • 3篇叶堉
  • 2篇李磊
  • 2篇李阳
  • 2篇张琨
  • 2篇肖池阶
  • 2篇万逸
  • 2篇王逸伦
  • 1篇彭士香
  • 1篇余斌
  • 1篇代宇
  • 1篇张景丰

传媒

  • 2篇实验技术与管...
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法
本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外...
戴伦贾雄辉程智轩李艳平
基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法
本发明公开了一种基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法。本发明采用纳米线探针测量液体的折射率，不需要复杂的耦合激发装置，同时避免了贵金属的使用，因此可以大幅降低成本；此外，纳米线探针测量过程中避免了激光强光源的...
王逸伦戴伦徐万劲李艳平张琨万逸
文献传递
利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）...
李艳平陶利高智威冉广照
文献传递
一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法
本发明公开了一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法。本发明突破了传统外延工艺异质集成不同种类单晶材料的必要条件——晶格匹配，利用化学气相沉积法制备的2H‑MoTe<Sub>2</Sub>具有横向...
潘宇徐晓龙李艳平叶堉
边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法
本发明涉及一种边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法，属于光子集成领域，通过将边发射激光芯片倾斜装焊在硅光芯片之上，把倾斜输出的光直接投射到硅光波导入射光栅上，对激光芯片和硅光芯片的结构和加工工艺无特殊要求，对...
冒芯蕊李艳平冉广照
水热法制备不同形貌的Bi_2S_3微/纳米材料被引量：2
2017年
采用一步水热法,不需要任何的模板和表面活性剂,仅通过改变反应溶剂,成功地制备出了不同形貌的正交相Bi_2S_3微/纳米材料。利用XRD、FE-SEM、TEM、HR-TEM和SAED对其结构和形貌进行了表征,对所制备的Bi_2S_3微/纳米材料的形成机理进行了探讨。吸收光谱的测量表明,由于尺寸效应,Bi_2S_3微/纳米材料的帯隙与体材料相比均发生了明显的蓝移。
李艳平方鑫王逸伦张琨
关键词：水热法形貌表征
一种硅基激光器及其制备方法
本发明公开了一种硅基激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本发明的激光器包括刻蚀有波导结构的SOI，化合物半导体激光器结构；所述激光器结构的键合面上依次设有周期分布的条形SiO<Sub>2</Sub>结构，相互导通...
李艳平冉广照洪涛陈娓兮秦国刚
文献传递
室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散...
徐万劲李磊李艳平姚利侯瑞祥秦国刚
文献传递
一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法
本发明公开了一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法。利用磁控溅射共蒸的方法在基底上沉积一层掺有杂质元素的Mo薄膜，将该掺杂Mo薄膜放入化学气相沉积设备中，通过控制温度和时间生长掺有杂质元素的大面积连续二维半导体碲化钼薄膜...
潘宇徐晓龙李艳平叶堉
一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法
本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外...
戴伦贾雄辉程智轩李艳平
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