李素梅
- 作品数：14 被引量：1H指数：1
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学经济管理自动化与计算机技术更多>>
- Halt模式下的低功耗单片机完整数据帧接收方法
- 本发明公开了一种Halt模式下的低功耗单片机完整数据帧接收方法，其设有单片机，特征在于单片机的芯片内嵌有在Halt模式下接收完整数据帧的主循环程序，所述主循环程序是由模拟串口接收数据帧第一字节程序和硬件串口接收数据帧后续...
- 王小利李素梅程伟
- 文献传递
- 一种作物抗倒伏性能测量设备、系统及方法
- 本发明提供一种作物抗倒伏性能测量设备、系统及方法，所述测量设备包括施力装置、测量装置和绑定装置；所述施力装置包括主支撑杆、水平支撑杆、摆动杆和活动压杆；所述测量装置包括拉力测量模块、角度传感器和微型姿态传感器；所述绑定装...
- 冯献忠李素梅于慧贺红冷建田鹿新村李梁璨张舒豪
- 量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量
- 2010年
- 采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5K时器件的电致发光谱(EL)和电传输特性(I-V曲线).在EL发射谱中清楚地观察到222cm-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中0.72和1.86V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s3/2(Γ6+Γ7)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p5/2(Γ6+Γ7)能级的共振隧穿.
- 刘静郑卫民宋迎新初宁宁李素梅丛伟艳
- 关键词：量子限制效应电致发光
- Halt模式下的低功耗单片机完整数据帧接收方法
- 本发明公开了一种Halt模式下的低功耗单片机完整数据帧接收方法，其设有单片机，特征在于单片机的芯片内嵌有在Halt模式下接收完整数据帧的主循环程序，所述主循环程序是由模拟串口接收数据帧第一字节程序和硬件串口接收数据帧后续...
- 王小利李素梅程伟
- 量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响
- 2009年
- 采用远红外时间分辨光谱,研究了量子限制效应对δ掺杂在GaAs/AlAs多量子阱中铍(Be)受主态寿命的影响.在低温下的远红外吸收谱中,清楚地观察到了三条主要吸收线,它们分别来源于铍受主从基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁.实验结果表明:随着量子限制效应的增强,受主激发态寿命而减少,实验测得体材料中Be受主2p激发态的寿命是350 ps,而阱宽10 nm的多量子阱中的寿命是55 ps.量子限制效应对布里渊区折叠声学声子模的影响增强了受主带内空穴与声学声子相互作用,从而加快了受主带内空穴的弛豫过程.
- 宋迎新郑卫民刘静初宁宁李素梅
- 关键词：量子限制效应时间分辨光谱Δ掺杂
- 基于量子限制的受主带间跃迁太赫兹探测器的制备与测量被引量：1
- 2014年
- 使用分子束外延生长设备,在GaAs(100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品,并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁,设计并制备了δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱太赫兹光探测器原型器件。在4.2 K温度下,分别对器件进行了太赫兹光电流谱和暗电流-电压曲线的测量。在6 V直流偏压下,空穴载流子沿量子阱层方向输运。当正入射激光频率为6.8 THz时,器件响应率为2×10-4V/W(2μA/W)。通过器件的暗电流-电压曲线计算了器件全散粒噪声电流,在4.2 K、6 V直流偏压下,全散粒噪声电流为5.03 fA·Hz-1/2。
- 翟剑波黄海北李素梅丛伟艳郑卫民
- 基于Tulip开发平台的银企对账系统的分析与实现
- 银企对账是银行结算业务中的重要一环,是开户银行和开户单位之间的账务核对方式,是商业银行内控的一项常规性工作,是规避操作风险、防范案件发生的关键环节和重要举措。然而,近年来,国内银行业接连曝光大案要案,暴露出我国金融业银企...
- 李素梅
- 关键词：银企对账UML架构
- 文献传递
- 基于Tulip开发平台的银企业对账系统的分析与实现
- 银企对账是银行结算业务中的重要一环，是开户银行和开户单位之间的账务核对方式，是商业银行内控的一项常规性工作，是规避操作风险、防范案件发生的关键环节和重要举措。然而，近年来，国内银行业接连曝光大案要案，暴露出我国金融业银企...
- 李素梅
- 文献传递
- 量子限制杂质能级间跃迁及其在太赫兹发光器的应用研究
- 太赫兹(THz)辐射波具有很多极其优越的特性，在基础科学研究和实际应用等众多领域具有重要的学术和应用价值，对THz辐射源的研究受到了广泛关注。半导体量子点的电荷载流子在三维方向上受到限制，具有类原子的量子化分立能级结构，...
- 李素梅
- 关键词：能级跃迁
- 文献传递
- 量子限制效应对受主跃迁的影响
- 2009年
- 通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30(?)到200(?))中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响。实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be原子δ-掺杂的GaAs/AlAs多量子阱。在4.2K的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态1S_(3/2)(Γ_6)到两个激发态2S_(3/2)(Γ_6)和3S_(3/2)(Γ_6)的双空穴跃迁。研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加。对量子限制效应调节受主杂质间跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径。
- 初宁宁郑卫民李素梅宋迎新刘静
- 关键词：量子限制效应Δ掺杂
