李欣昕
- 作品数：8 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>
- 一种硅纳米线的制作方法
- 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10－50nm...
- 王跃林李欣昕刘文平
- 文献传递
- 硅纳米线的制作方法
- 2004年
- 王跃林李欣昕刘文平
- 关键词：硅纳米线掺杂厚度
- 一种微机械压阻式加速度传感器及其设计优化
- 给出了一种新型的微梁直拉直压的微机械压阻式加速度传感器的工作原理.该设计能同时提高传感器的灵敏度和自由振动频率.基于分析模型,本文还给出了传感器的结构优化和各种量程的设计规则.采用SOI硅片和深反应离子刻蚀(DRIE)工...
- 黄树森郭南翔黄晖宋朝辉李欣昕王跃林
- 关键词：加速度传感器结构优化振动频率深反应离子刻蚀
- 文献传递
- 用于纳米操作的硅基集成式微型xy定位平台(英文)
- 2008年
- 针对纳米级定位平台小型化和高定位精度的要求,基于体硅工艺研制出一种集结构、驱动和位移检测一体化的集成式微型纳米级xy定位平台.采用体硅双面深度反应离子刻蚀(DRIE)技术释放出高深宽比的静电梳齿驱动器、检测梁及定位平台结构.由于定位平台属于面内运动,为了提高面内运动位移检测的灵敏度提出了一种利用离子注入工艺和DRIE技术相结合制作检测梁侧壁压阻的方法,并利用该侧壁压阻工艺成功地把基于侧壁压阻式的位移传感器集成到微型xy定位平台上.实验测试表明,位移传感器的灵敏度优于1.17mV/μm,线形度优于0.814%,当驱动电压取30V时,定位平台的单轴输出位移可达±10μm,并且定位平台x方向和y方向上的位移耦合量非常小;在空气条件下测得定位平台的一阶固有频率为983Hz.
- 王家畴荣伟彬孙立宁李欣昕
- 关键词：微机电系统
- 一种高灵敏度硅微机械陀螺的设计与制造被引量：5
- 2004年
- 设计与制造了一种高灵敏度的硅微机械陀螺。陀螺用静电来驱动,用连接成惠斯顿电桥的压阻式力敏电阻应变计来检测。主梁、微梁 质量块结构实现了高灵敏度。比较硬的主梁提供了一定的机械强度,并且提供了高共振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻应变计就扩散在微梁上,质量块很小的挠动就能在微梁上产生很大的应力,输出很大的信号。5V条件下,陀螺检测部分的理论灵敏度达到27.45mV/gn。压阻式四端器件用来监测驱动振幅,可以反馈补偿压阻的温度系数。检测模态的Q值达260使陀螺能在大气下工作。陀螺利用普通的n型硅片制造,为了刻蚀高深宽比的结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE)工艺。
- 陈雪萌宋朝晖李欣昕王跃林张鲲焦继伟杨恒
- 关键词：陀螺压阻深反应离子刻蚀
- 基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用
- 2008年
- 为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感器的灵敏度比在检测梁表面制作压阻的传统位移传感器高近一倍.同时把位移传感器集成到基于体硅工艺的纳米级定位平台上,实验测试表明,这种位移传感器加工技术可以很容易地与其他工艺相兼容,位移传感器的灵敏度优于0.903mV/μm,线形度优于0.814%,分辨率优于12.3nm.
- 孙立宁王家畴荣伟彬李欣昕
- 关键词：微机电系统反应离子刻蚀位移传感器
- 一种硅纳米线的制作方法
- 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10-50nm...
- 王跃林李欣昕刘文平
- 文献传递
- 一种微机械压阻式加速度传感器及其设计优化被引量：6
- 2003年
- 给出了一种新型的微梁直拉直压的微机械压阻式加速度传感器的工作原理。该设计能同时提高传感器的灵敏度和自由振动频率。基于分析模型 ,本文还给出了传感器的结构优化和各种量程的设计规则。采用SOI硅片和深反应离子刻蚀 (DRIE)
- 黄树森郭南翔黄晖宋朝辉李欣昕王跃林
- 关键词：微机械压阻式加速度传感器离子刻蚀振动频率
