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利用原子力显微镜在Au-Pd合金膜上制备纳米结构被引量：12: 1998年; 利用自行开发的SPM刻蚀系统在Au Pd合金膜上成功地机械刻划出纳米尺度的孔洞、沟槽和复杂的图形 ,最小线宽达 2 5nm .该系统可以很方便地用来加工所需要的任意纳米图形 ,并且AFM图象表明机械刻划出来的纳米结构非常清晰 ,真实地反映出待刻图形的细节而没有变形 ,这说明该刻蚀系统具较高的可靠性和可控性 .同时 ,实验结果表明我们制得的Au Pd合金膜非常平整并具备优良的机械刻划性能 ,它可以被用作为制备纳米器件的掩膜或直接用于纳米结构的制备 .; 陈海峰宋家庆李春增蔡生民刘忠范; 关键词：原子力显微镜

利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构: 基于 AFM 电场诱导的方法成功地在硅掺杂 n; 陈海峰李春增何会新刘忠范; 关键词：AFM GAAS; 文献传递

导电高聚物／溶液界面SERS效应的诱导产生: 1995年; 导电高聚物是发展迅速风应用广泛的重要电极材料，由于大多数电化学反应发生在导电高聚物／金属和导电高聚物／溶液界面，如果能获得其界面结构的信息，将对导电高聚物表面所发生的电化学反应以及导电高聚物的聚合、降解的机理研究有极大的帮助．但无论是常规电化学技术还是一般光谱电化学技术都难于得到有关界面结构的信息，因为通常情况下较强的导电高聚物膜本体的信号（图１（ａ）将“淹没”来自界面的信号．所幸的是表面增强拉曼散射（ＳＥＲＳ）效应能极大地增强来自紧邻金属和溶液的聚合物单层的信号，因而适合于导电高聚物／金属和导电高聚物／溶液的界面结构的特殊要求．只要导电高聚物膜的厚度不致于影响到来自于高聚物／金属界面的ＳＥＲＳ信号，就可以利用其研究高聚物／金属界面的结构，见图１（ｂ）．例如，人们已现场研究了经ＳＥＲＳ活化的金电极上吡咯和苯胺的电化学初聚过程￣［１，２］．但据我们所知，由于难于在导电高聚物／溶液界面诱导出ＳＥＲＳ效应，目前还没有关于其界面结构ＳＥＲＳ研究的正式报导．Ｇｕｉ和Ｄｅｖｉｎｅ￣［３］通过在铁电极上沉积一层不连续的银岛膜的方法成功地获得了极薄的铁钝化膜（１～３ｎｍ）的ＳＥＲＳ谱图．本文简要报道利用类似的方法，尝试在诸?; 高劲松陈燕霞田中群李春增刘忠范蔡生民; 关键词：导电高聚物聚吡咯聚苯胺 SERS

化学力显微镜对自组装单分子膜的力滴定研究被引量：4: 1997年; 何会新李春增王俊梅张浩力徐筱杰刘忠范; 关键词：自组装单分子膜

利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构被引量：3: 1999年; 基于ＡＦＭ电场诱导的方法成功地在硅掺杂ｎ＋型ＧａＡｓ（１００）和锌掺杂ｐ型ＧａＡｓ（１００）表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形，最小的纳米结构约１５ｎｍ，并定性地考察了ＧａＡｓ表面ＡＦＭ电场诱导制备纳米结构的一些规律。; 陈海峰李春增何会新刘忠范; 关键词：AFM 砷化镓

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李春增

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