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李兴凯
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1
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供职机构:
西北大学物理学系
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王永瑜
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1篇
1989
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N^+离子轰击对过渡金属Nb,Mo,Ti与Si接触界面的影响
1989年
为了适应超大规模集成电路Si太阳电池和超导的需要,作者用■ES和I-V特性研究了N^+离子轰击对Si衬底上Nb,M0或Ti溥膜的深度分布和电学性质的影响。
王永瑜
李兴凯
薛兵
李保春
蒲鸿斌
关键词:
过渡金属
离子轰击
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