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戴明

作品数:13 被引量:6H指数:2
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇刻蚀
  • 7篇纳米
  • 4篇电子器件
  • 4篇离子刻蚀
  • 4篇纳米电子
  • 4篇纳米光电子器...
  • 4篇光电
  • 4篇光电子
  • 4篇光电子器件
  • 3篇相变材料
  • 3篇相变存储
  • 3篇相变存储器
  • 3篇存储器
  • 2篇单层膜
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇商用
  • 2篇商用化
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇外角

机构

  • 13篇南京大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 13篇戴明
  • 9篇马忠元
  • 9篇徐岭
  • 9篇徐骏
  • 8篇陈坤基
  • 6篇李伟
  • 5篇甘新慧
  • 4篇吴良才
  • 4篇廖远宝
  • 3篇李卫
  • 3篇孙萍
  • 3篇赵伟明
  • 2篇刘东
  • 2篇刘东
  • 2篇刘宇
  • 2篇韦德远
  • 2篇孙红程
  • 2篇卢明辉
  • 2篇陈德媛
  • 2篇杨菲

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2008
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量:1
2008年
应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.
赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基
关键词:半导体纳米晶体自组装刻蚀
新型硅基光子集成器件的若干研究
对于集成电路而言,其集成度的提高一直推动当今信息时代的发展。根据著名的摩尔定律可知,单一集成芯片的集成度每18个月就要翻一番。然而,近年来由于集成度的进一步提高带来的热扩散问题等一直没有办法得到很好的解决,现实的集成度逐...
戴明
关键词:粒子群优化算法时域有限差分方法数值模拟
用于相变存储器的GST相变材料微观结构与电学特性
相变存储器是一种新型的非易失性半导体存储器,它具有高速、低功耗、与CMOS工艺兼容、抗辐照等优点,被国际半导体工业协会认为最有可能取代目前的SRAM、DRAM和FLASH等当今主流产品而成为未来存储器主流产品和最先成为商...
戴明
关键词:相变存储器相变材料纳米颗粒阵列微观结构电学特性
制备垂直结构相变存储器的方法
本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法,属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。...
徐岭徐骏马忠元刘东廖远宝戴明杨菲刘文强吴良才陈坤基李伟
文献传递
提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法
本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法,属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为:以聚苯乙烯小球为掩模,对硅衬底表面进行等离子体刻蚀;在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO<Sub...
徐骏陈德媛刘宇徐岭陈坤基李伟黄信凡马忠元韦德远孙红程戴明
文献传递
一种微型高性能正交硅波导结构
本发明提供了一种微型高性能正交硅波导结构,采用正交交叉的波导结构,波导的组成材料为硅。在波导结构的内部、四个正交交叉口处分别设有棱镜结构,棱镜结构的折射率低于组成波导的基底材料。进一步地,在波导结构的正交交叉点的四个外角...
刘晓平卢明辉戴明徐叶龙陈延峰
CdTe纳米晶及层状纳米晶薄膜的生长及其光荧光性质被引量:2
2009年
用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(diallyldimethylammonium chloride)(PDDA)在Si衬底表面自组织生长了有序的层状纳米晶薄膜,荧光光谱研究了层状纳米晶体之间的共振能量迁移过程.结果表明:层状自组织生长的样品中纳米晶粒的间隔几乎一样,表明它们是有序排列的;而用直接干燥形成的样品中,小尺寸和大尺寸的纳米晶体之间间隔较短,发生荧光共振能量迁移,较小尺寸的纳米晶粒荧光峰(即波长较短处的晶粒荧光峰)部分淬灭,较大尺寸的荧光峰(即波长较长处的晶粒荧光峰)加强,使得PL谱出现明显的红移现象.
戴明廖远宝刘东甘新慧徐岭马忠元徐骏陈坤基
关键词:量子限制效应
提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法
本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法,属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为:以聚苯乙烯小球为掩模,对硅衬底表面进行等离子体刻蚀;在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO<Sub...
徐骏陈德媛刘宇徐岭陈坤基李伟黄信凡马忠元韦德远孙红程戴明
文献传递
制备垂直结构相变存储器的方法
本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法,属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。...
徐岭徐骏马忠元刘东廖远宝戴明杨菲刘文强吴良才陈坤基李伟
文献传递
一种制备合金相变材料纳米点阵的方法
本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法,属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀...
徐岭戴明甘新慧徐骏马忠元李卫李伟赵伟明孙萍陈坤基
文献传递
共2页<12>
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