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徐越

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：艺术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇艺术

主题

  • 5篇触发器
  • 4篇电路
  • 2篇电路工作
  • 2篇多普勒
  • 2篇阴离子
  • 2篇退火
  • 2篇离子
  • 2篇化合物
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇集成电路
  • 2篇功耗
  • 2篇反相器
  • 2篇高温退火
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇D触发器
  • 1篇低电压
  • 1篇电路设计
  • 1篇电平
  • 1篇电压

机构

  • 9篇北京大学

作者

  • 9篇徐越
  • 6篇贾嵩
  • 6篇王源
  • 4篇李涛
  • 3篇梁雪
  • 3篇张钢刚
  • 2篇吴峰锋
  • 2篇沈波
  • 2篇许福军
  • 2篇唐宁
  • 2篇刘黎
  • 2篇杨学林
  • 2篇吴珊
  • 2篇王新强
  • 2篇张洁
  • 2篇冯玉霞
  • 1篇宋京京
  • 1篇徐鹤卿
  • 1篇王宇
  • 1篇李涛

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
脉冲型D触发器
本发明公开了一种脉冲型D触发器，包括：预充电路、求值电路、脉冲信号控制管、锁存电路，所述预充电路包括：分别连接所述求值电路的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极用于接脉冲信号，非栅极的...
贾嵩梁雪徐越李涛王源张钢刚
文献传递
化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法
本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置...
杨学林沈波徐越吴珊宋春燕张洁冯玉霞许福军唐宁王新强
文献传递
时钟门控制电路及触发器
本发明公开了一种时钟门控制电路，设计集成电路设计技术领域，该电路包括：一个PMOS管和一个NMOS管，所述PMOS管的栅极和NMOS管的栅极相连，形成用于连接外部时钟信号的时钟端，所述PMOS管的非栅极的一端与所述NMO...
贾嵩宋京京刘黎李涛徐越王源
文献传递
适用于位交叉布局的低电压SRAM单元(英文)
2013年
提出一种9管单端SRAM单元结构,该种SRAM单元采用读写分离方式,具有较高的保持稳定性和读稳定性。该单元采用新的写操作方式,使由其组成的存储阵列中,处于"假读"状态的单元仍具有较高的稳定性,因此在布局时能够采用位交叉布局,进而采用简单的错误纠正码(ECC)方式解决由软失效引起的多比特错误问题。仿真结果显示,当电源电压为300 mV时,该种结构的静态噪声容限为100 mV,处于"假读"状态的单元静态噪声容限为70 mV。
贾嵩徐鹤卿王源吴峰锋李涛徐越
关键词：SRAM单元低电压
单边沿主从型D触发器
本发明涉及触发器技术领域，公开了一种单边沿主从型D触发器，包括主锁存器和从锁存器，所述主锁存器和从锁存器共用一个反相器。本发明对传统主从型触发器的结构进行了改进，使主锁存器和从锁存器共用一个反相器，减少了触发器工作的建立...
梁雪王宇徐越贾嵩王源张钢刚
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应用改进模型预测北美电影行业票房收入
徐越
关键词：电影行业票房营销
双边沿脉冲D触发器
本发明公开了一种双边沿脉冲D触发器，包括源极与电源连接的预充MOS管、源极接地并且栅极接脉冲控制信号的脉冲控制MOS管、以及连接于所述预充MOS管的漏极和所述脉冲控制MOS管的漏极之间并具有求值输入端或输出端的求值MOS...
贾嵩梁雪徐越李涛王源张钢刚
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化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法
本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置...
杨学林沈波徐越吴珊宋春燕张洁冯玉霞许福军唐宁王新强
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基于灵敏放大器的触发器
本发明公开了一种基于灵敏放大器的触发器，涉及集成电路设计技术领域，该触发器包括：电源端口，时钟端口、放大采样电路、与所述放大采样电路连接的保持电路，所述电源端口和时钟端口分别用于连接电源和时钟，向各电路提供电源和时钟信号...
贾嵩刘黎吴峰锋王源徐越李涛
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