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徐志虎
作品数:
3
被引量:3
H指数:1
供职机构:
内蒙古大学
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发文基金:
内蒙古自治区自然科学基金
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相关领域:
理学
电气工程
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合作作者
李健
内蒙古自治区高等学校半导体光伏...
闫君
内蒙古大学物理科学与技术学院
谢俊叶
内蒙古大学物理科学与技术学院
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内蒙古大学
作者
3篇
徐志虎
2篇
李健
1篇
谢俊叶
1篇
闫君
传媒
1篇
真空科学与技...
年份
1篇
2013
2篇
2012
共
3
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被引量排序
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磷吸杂对冶金多晶硅片的少子寿命的影响
究采用液态三氯氧磷源扩散方法对物理冶金法提纯多晶片(6N)进行恒温磷吸杂.研究温度、时间和通磷源量等参数对吸杂效果的影响,摸索可用于生产最有效的工艺条件.用少子寿命测试仪和四探针测试仪测试硅裸片的少子寿命和电阻率. 实验...
徐志虎
谢俊叶
马承宏
李健
关键词:
多晶硅片
少子寿命
电阻率
磷吸杂改善产业化冶金多晶硅太阳电池性能
针对冶金硅纯度较低的问题,采用短时间浓磷扩散吸杂工艺来提高原始冶金硅片的少子寿命。研究不同时间、温度、磷源流量吸杂对冶金硅片少子寿命的影响,并筛选其最佳工艺条件。用WT-1200少子寿命测试仪、RTS-4四探针测试仪、B...
徐志虎
关键词:
太阳电池
少子寿命
光衰减
量子效率
文献传递
Zn掺杂SnS薄膜的表征及光学特性
被引量:3
2012年
真空共蒸发制备掺Zn(2%,4%(质量比))的SnS薄膜。研究热处理对Zn掺杂SnS薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出2%掺Zn薄膜经300℃,40 min热处理后,得到正交晶系的SnS多晶薄膜。掺Zn可一定程度抑制薄膜中S的损失,使薄膜体内Sn∶S元素化学计量得到改善,从未掺Zn的Sn∶S比为1.90∶1降到1.38∶1(2%)及1.36∶1(4%)。掺Zn后SnS薄膜的吸收边都发生红移,光吸收系数高达105cm-1。未掺Zn薄膜的直接光学带隙1.95 eV,掺Zn是1.375 eV(2%)和1.379 eV(4%)。Sn和S在薄膜中分别呈+2和-2价态,Zn以间隙和替位两种状态存在。
徐志虎
李健
闫君
关键词:
光学特性
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