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徐志虎

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:内蒙古大学更多>>
发文基金:内蒙古自治区自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇冶金
  • 2篇少子寿命
  • 1篇电池
  • 1篇电池性能
  • 1篇电阻率
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇真空
  • 1篇蒸法
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳电池性能
  • 1篇量子效率
  • 1篇光衰
  • 1篇光衰减
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇硅片
  • 1篇SNS

机构

  • 3篇内蒙古大学

作者

  • 3篇徐志虎
  • 2篇李健
  • 1篇谢俊叶
  • 1篇闫君

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
磷吸杂对冶金多晶硅片的少子寿命的影响
究采用液态三氯氧磷源扩散方法对物理冶金法提纯多晶片(6N)进行恒温磷吸杂.研究温度、时间和通磷源量等参数对吸杂效果的影响,摸索可用于生产最有效的工艺条件.用少子寿命测试仪和四探针测试仪测试硅裸片的少子寿命和电阻率. 实验...
徐志虎谢俊叶马承宏李健
关键词:多晶硅片少子寿命电阻率
磷吸杂改善产业化冶金多晶硅太阳电池性能
针对冶金硅纯度较低的问题,采用短时间浓磷扩散吸杂工艺来提高原始冶金硅片的少子寿命。研究不同时间、温度、磷源流量吸杂对冶金硅片少子寿命的影响,并筛选其最佳工艺条件。用WT-1200少子寿命测试仪、RTS-4四探针测试仪、B...
徐志虎
关键词:太阳电池少子寿命光衰减量子效率
文献传递
Zn掺杂SnS薄膜的表征及光学特性被引量:3
2012年
真空共蒸发制备掺Zn(2%,4%(质量比))的SnS薄膜。研究热处理对Zn掺杂SnS薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出2%掺Zn薄膜经300℃,40 min热处理后,得到正交晶系的SnS多晶薄膜。掺Zn可一定程度抑制薄膜中S的损失,使薄膜体内Sn∶S元素化学计量得到改善,从未掺Zn的Sn∶S比为1.90∶1降到1.38∶1(2%)及1.36∶1(4%)。掺Zn后SnS薄膜的吸收边都发生红移,光吸收系数高达105cm-1。未掺Zn薄膜的直接光学带隙1.95 eV,掺Zn是1.375 eV(2%)和1.379 eV(4%)。Sn和S在薄膜中分别呈+2和-2价态,Zn以间隙和替位两种状态存在。
徐志虎李健闫君
关键词:光学特性
共1页<1>
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